《電子技術應用》
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抑制功率二極管反向恢復幾種方案的比較
胡進,呂征宇
摘要: 高頻功率二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變為截止狀態過程中,存在反向恢復現象。這會引起二極管損耗增大,電路效率降低以及EMI增加等問題。這一問題在大功率電源中更加突出。常用RC吸收、串入飽和電抗器吸收、軟開關電路等開關軟化方法加以解決,但關于其效果對比的研究報道尚不多見。本文以Buck電路為例,對這幾種方案進行了比較,通過實驗及仿真得出有用的結論。
Abstract:
Key words :

0    引言

    高頻功率" title="功率">功率二極管" title="二極管">二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變為截止狀態過程中,存在反向恢復" title="恢復">恢復現象。這會引起二極管損耗增大,電路效率降低以及EMI增加等問題。這一問題在大功率電源中更加突出。常用RC吸收、串入飽和電抗器吸收、軟開關電路等開關軟化方法加以解決,但關于其效果對比的研究報道尚不多見。本文以Buck電路為例,對這幾種方案進行了比較,通過實驗及仿真得出有用的結論。

1    二極管反向恢復原理

    以普通PN結二極管為例,PN結內載流子由于存在濃度梯度而具有擴散運動,同時由于電場作用存在漂移運動,兩者平衡后在PN結形成空間電荷區。當二極管兩端有正向偏壓,空間電荷區縮小,當二極管兩端有反向偏壓,空間電荷區加寬。當二極管在導通狀態下突加反向電壓時,存儲電荷在電場的作用下回到己方區域或者被復合,這樣便產生一個反向電流。

2    解決功率二極管反向恢復的幾種方法

    為解決功率二極管反向恢復問題已經出現了很多種方案。一種思路是從器件本身出發,尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題,比如碳化硅二極管的出現帶來了器件革命的曙光,它幾乎不存在反向恢復的問題。另一種思路是從拓撲角度出發,通過增加某些器件或輔助電路來使功率二極管的反向恢復得到軟化。目前,碳化硅二極管尚未大量進入實用,其較高的成本制約了普及應用,大量應用的是第二種思路下的軟化電路。本文以一個36V輸入、30V/30A輸出、開關頻率為62.5kHz電路(如圖1所示)為例,比較了幾種開關軟化方法。

圖1    Buck電路

2.1    RC吸收

    這是解決功率二極管反向恢復問題的常用方法。在高頻下工作的功率二極管,要考慮寄生參數。圖2(a)為電路模型,其中D為理想二極管,Lp為引線電感,Cj為結電容,Rp為并聯電阻(高阻值),Rs為引線電阻。RC吸收電路如圖2(b)所示,將C1R1串聯后并聯到功率二極管D0上。二極管反向關斷時,寄生電感中的能量對寄生電容充電,同時還通過吸收電阻R1對吸收電容C1充電。在吸收同樣能量的情況下,吸收電容越大,其上的電壓就越小;當二極管快速正向導通時,C1通過R1放電,能量的大部分將消耗在R1上。

(a)    功率二極管電路模型    (b)    RC吸收電路

(c)    串聯飽和電抗器    (d)    二極管反向恢復軟化電路

圖2    解決功率二極管反向恢復問題的常用方案

2.2    串聯飽和電抗器

    這是解決這一問題的另一種常用方法,如圖2(c)所示。一般鐵氧體(Ferrite)磁環和非晶合金(Amorphous)材料的磁環都可以做飽和電抗器。根據文獻[1],用飽和電抗器解決二極管反向恢復問題時,常用的錳鋅鐵氧體有效果,但是能量損失比非晶材料大。隨著材料技術的進展,近年來非晶飽和磁性材料性能有了很大提高。本文選用了東芝公司的非晶材料的磁環(型號:MT12×8×4.5W)繞2匝作飽和電抗器。

    對應圖3(a)和圖3(b),第Ⅰ階段通過D0的電流很大,電抗器Ls飽和,電感值很小;第Ⅱ階段當二極管電流開始下降時,Ls仍很小;第Ⅲ階段二極管電流反向,反向恢復過程開始(trr為反向恢復時間),Ls值很快增大,抑制" title="抑制">抑制了反向恢復電流的增大,這樣就使電流變成di/dt較小的軟恢復,使二極管的損耗減小,同時抑制了一個重要的噪聲源;第Ⅳ階段二極管反向恢復結束;第Ⅴ階段二極管再次導通,由于電流增大,Ls很快飽和。

(a)    反向恢復電流波形

(b)    飽和電抗器磁化曲線

圖3    飽和電抗器對二極管反向恢復抑制示意 

2.3    軟開關電路

    圖2(d)為一種有效的二極管反向恢復軟化電路[2]。Lk為變壓器漏感。n為變壓器匝比,這里取n=3,其工作過程如圖4所示。

(a)    階段1

(b)    階段2

(c)    階段3

(d)    階段4

(e)    階段5

圖4    軟開關工作原理

    階段1如圖4(a)所示,開關S已經導通,D0處于反向截止狀態,勵磁電感Lm與漏感Lk被線性充電。階段2開關S關斷,S的寄生電容Cp被充電,該過程很短,可近似看作線性,如圖4(b)所示。階段3D0及Db均導通,如圖4(c)所示。階段4二極管D0中的電流在漏感Lk的作用下逐漸下降為0,如圖4(d)所示。階段5開關S導通,如圖4(e)所示,支路二極管Db中的電流繼續下降,在S關斷前下降為0。

    圖4(c)中D0導通,uD0≈0,當到圖4(d)狀態,uD0=-u2=u0/(1+n),圖5(d)的試驗波形驗證了這一點。

3    實驗結果

    圖5給出了各種情況下的二極管D0的端電壓波形。

(a)    無反向恢復抑制措施的D0端壓 

(b)    并聯RC吸收后D0端壓

(c)    串入飽和電抗器Ls后D0端壓

(d)    采用軟化電路之后D0端壓

圖5    實驗波形

    從圖5波形中可以看到,二極管反向恢復的電壓毛刺減小,說明3種方案對二極管反向恢復均有抑制的效果。用RC吸收電路雖然抑制了二極管反向恢復,但反向恢復的電壓毛刺與振蕩還比較明顯。采用軟化電路后如前分析,理論上反向恢復電流應該降為零,但由于電路中雜散參數的影響,二極管關斷過程中電壓波形還有振蕩。串入飽和電抗器對二極管反向恢復抑制效果最好。

4    結語

    碳化硅的推廣應用或許是二極管反向恢復問題的根本解決途徑。目前主要采用RC吸收電路。串聯飽和電抗器以及軟化電路也是抑制二極管反向恢復的有效方案。理論分析和試驗證明,串聯非晶飽和電抗器最為簡單有效,有望得到進一步推廣。

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