LED是繼白熾燈、熒光燈、節(jié)能燈之后的人類第四次照明方式的*。它具有色彩還原好、響應速度快、節(jié)能、安全、環(huán)保、壽命長等優(yōu)點，因而被廣泛應用于日光燈、室內照明與裝飾、路燈、舞臺燈、顯示屏、背光源、指示燈等。隨著LED發(fā)光效率的不斷提升，LED在應用上呈現多層次的變化，現已廣泛用于汽車電子、移動設備、LCD背光及通用照明等領域。
伴隨著LED的廣泛應用，LED驅動IC的需求也迅猛增長，LED驅動IC主要用于為LED提供高效和持久的驅動。它除了為LED提供簡單的控制與驅動外，一般還具有智能管理功能，從而實現高性能、高效率和各種管理及保護功能。驅動IC的需求和LED的應用密不可分，LED的應用和技術發(fā)展，也推動了驅動IC的發(fā)展。反過來，驅動技術又是提升LED照明應用水平的關鍵所在。因此，如何設計出效率更高，功能更強，結構更優(yōu)的LED驅動IC，將是集成電路設計的新一輪挑戰(zhàn)。
1 芯片結構及其工作原理
基于開關電源的市場需要，本文設計了一款LED照明驅動芯片，圖1所示是基于0.5μm CMOS標準工藝設計出的一種不隨溫度、電源電壓以及工藝變化的高電源抑制比的基準電壓源結構。該芯片采用脈頻調制方式，通過設計電阻-電容網絡結構來實現電路的固定關斷時間功能，這種電路結構避免了采用斜坡補償技術，在實現電路的PFM調制的同時也簡化了電路結構，提高了芯片效率。該芯片內部包括振蕩器、PFM控制電路、基準電壓源、偏置電路、RS觸發(fā)器、過壓、欠壓保護電路及驅動電路等核心模塊。
圖1 芯片電路結構
工作時，該芯片通過一個功率MOSFET和一采樣電阻來將負載變化情況反饋到芯片內部。反饋信號先經過低通濾波器，把高頻開關噪音濾掉，再以電流形式輸入到Current COMP模塊進行調節(jié)，以產生控制R-S觸發(fā)器R端的信號，然后和Oscillator PFM Regulator模塊產生的S端信號共同控制驅動電路，最后驅動功率MOFFET來實現電路的PFM調節(jié)。除此之外，Error AMP模塊、AMP模塊及Voltage COMP三模塊則構成過流保護電路，當流過外部電路的電流過大時，通過外部電阻的電流檢測，并使反饋電壓與恒定基準電壓作比較，再將兩者差值比較放大，以產生控制RS鎖存器CtR端的信號，并強制關斷功率管。這種前饋保護模式可有效降低電流過大時燒毀功率管和LED燈的風險，可對電路起到可靠的保護作用。而Low Voltage Lockout保護模塊可在輸入電壓低于正常工作電壓2.5V情況下強制關斷芯片，從而防止芯片在低電壓下工作，提高電源的利用效率。
2 芯片主要電路模塊設計
2.1 自偏置電路
圖2所示電路為該IC的自偏置電路，芯片自行啟動將提供兩個偏置，分別為N管偏置和P管偏置，從而為各個模塊提供偏置電壓。
圖2 偏置電路結構
由于M1和M2柵極的電位相同，故有：
由于(W/L) 2=K (W/L) 1， 則：
因此可得到：
從而得出N管偏置電壓和P管偏置電壓為：
同時，該模塊還設計有欠壓保護電路，利用R網絡結構，并采用上拉電阻鉗位，可使電壓在低于2.5V情況下強制關斷芯片，從而提高電源的利用效率。
2.2 高電源抑制比基準電壓源
基于0.5μm CMOS標準工藝設計一種不隨溫度、電源電壓以及工藝變化的高電源抑制比基準電壓源的電路結構如圖3所示。在室溫下，該基準源具有零溫度系數，且在-40℃～120℃范圍內電壓變化很小，其溫度系數可達3ppm/℃數量級。
圖3 基準電路結構
根據基準電壓源的小信號模型來分析其電源抑制PSR，可得：
同時，該模塊還設計有欠壓保護電路，利用R網絡結構，并采用上拉電阻鉗位，可使電壓在低于2.5V情況下強制關斷芯片，從而提高電源的利用效率。
2.2 高電源抑制比基準電壓源
基于0.5μm CMOS標準工藝設計一種不隨溫度、電源電壓以及工藝變化的高電源抑制比基準電壓源的電路結構如圖3所示。在室溫下，該基準源具有零溫度系數，且在-40℃～120℃范圍內電壓變化很小，其溫度系數可達3ppm/℃數量級。
圖3 基準電路結構
根據基準電壓源的小信號模型來分析其電源抑制PSR，可得：
由于Is與發(fā)射極面積成正比，所以有：
由此便可得到輸出點的電壓Vout：
通過對式(10) 的分析可以發(fā)現： 基準電壓源的PSR同運算放大器的開環(huán)增益和電源抑制PSR有關。因此，若將運算放大器的開環(huán)增益A增大，其基準電壓源的電源抑制PSR就能夠得到提高； 而如果運放Add接近于1，那么，基準電壓源的PSR將得到極大提高。本文采用高開環(huán)增益的運算放大器來使Add近似等于1，以得到很高的PSR。
運放的輸入可認為虛短，即V+=V-，又因R1=R2，所以，流過Q1和Q2的電流相等，于是有：
由于Is與發(fā)射極面積成正比，所以有：
由此便可得到輸出點的電壓Vout：
2.3 RS觸發(fā)器
圖4所示是RS觸發(fā)器的電路結構，通過該觸發(fā)器可提高芯片的抗干擾能力，以保證在一個周期內只有一個工作脈沖到達輸出級，從而保證在惡劣的噪聲環(huán)境下，電路也不會出現誤動作。表1所列是該RS觸發(fā)器的功能。
圖4 RS觸發(fā)器電路結構
表1 RS觸發(fā)器功能
2.4 過流保護模塊
圖5所示是本系統(tǒng)中的過流保護電路，該電路由Error AMP模塊、AMP模塊及Voltage COMP等三個模塊構成。其中，AMP模塊起到對Vcs電壓十倍放大的作用，放大后的Vcs電壓與Error AMP模塊的輸出電壓相比較，輸出電壓可控制RS觸發(fā)器的Ctr端。將電路接成boost結構，當反饋端電流過大使VFB高于1V時，Error AMP模塊輸出為0，而VoltageCOMP模塊輸出為1，即RS觸發(fā)器Ctr端置1，于是RS觸發(fā)器輸出為0，以強制關斷芯片。這種保護模式有效地降低了電流過大時燒毀功率管和LED燈的風險，可對電路起到可靠的保護作用。
圖5 過流保護電路結構
2.5 脈頻調制控制電路
通過設計電阻-電容網絡結構可實現電路的固定關斷時間功能，同時，通過芯片外部電路中電阻-電容的串并聯(lián)組合，則可方便地調節(jié)固定關斷時間的長短，避免采用斜坡補償技術，并可在實現電路的PFM調制的同時，簡化電路結構，提高芯片效率。
2.6 電流檢測比較器模塊
該模塊采用采樣電阻與開關功率管串聯(lián)，并通過采樣電阻上的壓降來反映支路上的電流，這樣可以將得到的精確采樣值恒定的基準輸出電壓進行比較放大，這種精確控制模式大大提高了芯片精度。
3 版圖設計及仿真結果
3.1 版圖設計
圖6給出了芯片的版圖，其中最中間部分的基準電壓源用以減小應力影響。最左邊為偏置電路，右上方為Oscillator PFM Regulator模塊，該模塊正下方為采樣電路； 芯片最下方為RS觸發(fā)器和DRV電路版圖，正上方為修條電阻。
圖6 總體電路版圖
3.2 仿真結果
本文提出的電路可采用candence進行電路仿真，圖7所示分別為芯片采樣檢測電壓、DRV輸出電壓、負載電流以及上電電壓仿真波形。從仿真結果可以看出： 當反饋電壓CS達到250mV時，通過峰值檢測可實現芯片輸出端(DRV) 的關斷功能，然后由PFM Regulator單元電路控制電路的開啟，以實現固定關斷時間功能，固定關斷時間為520ns； LED燈上的紋波電流幅度在4%以內；同時上電較快。通過電路仿真驗證，該芯片設計合理，性能良好。
圖7 總體電路仿真波形曲線
4 結束語
本文結合LED的驅動特性要求，提出了一種電流檢測型LED驅動開關電源電路的設計方法。
該驅動電路采用PFM控制方式，從而可避免采用諧波補償技術，提高芯片效率，簡化電路結構。
同時，電路通過高電源抑制比、低溫度系數基準電壓源設計和自啟動電路和欠壓保護電路設計，從而實現了電路高效、安全、可靠等特性。該驅動電路可廣泛用于各種LED產品的照明驅動。