初級開關(guān)管（MOSFET）。假設(shè)輸入電壓恒定為60V，情況同上。從兩個方面考慮反激、正激、半橋：選用mosfet的最大耐壓和流過mosfet的最大電流有效值。

可見在理想狀態(tài)下，三種拓撲的差別并沒有體現(xiàn)在初級mosfet的導通損耗上（注意半橋使用了兩個功率mosfet），開關(guān)管的另一個損耗是開關(guān)損耗" title="開關(guān)損耗">開關(guān)損耗，公式的推導見EXEL文件。假設(shè)開通關(guān)斷有相同損耗，電感量無窮大，則計算公式如下：

反激：

正激：

半橋： 

從公式可以看出，在只針對一個輸入電壓點優(yōu)化的情況下，反激的開關(guān)損耗最大，正激和半橋沒有區(qū)別，這是限制反激大功率運用的一個原因。

次級mosfet

次級mosfet都是零電壓開通關(guān)斷，不存在開關(guān)損耗

次級mosfet的導通損耗同樣限制了反激在大功率場合的運用，mosfet體內(nèi)二極管的反向恢復同樣產(chǎn)生損耗，值得注意的是這個損耗源于次級，發(fā)生在初級mosfet，計算公式如下

考慮到半橋的占空比D可以是0.9，所以以上三個公式基本上沒有區(qū)別。

3、磁性器件。反激的變壓器等效理想變壓器和電感器的結(jié)合，不知道該如何正激和半橋的磁性器件比較，這里只討論下為什么反激變壓器中漏感的影響大。具體分析見EXEL中《磁性器件》頁面

4、電容。同樣關(guān)心電容的電流應(yīng)力和電壓。電壓應(yīng)力沒什么區(qū)別。

 

輸入電容電流應(yīng)力基本沒有區(qū)別，輸出電容上反激的電流應(yīng)力很糟糕，但需要注意的是，輸出電容的電流應(yīng)力與輸出電流成正比，與輸出功率并沒有直接關(guān)系，正激和半橋的輸出電容電流應(yīng)力為0是因為電感假設(shè)為無窮大，實際值與△I有關(guān)。

5、總結(jié)：通過以上分析，反激不適合大功率引用原因如下：

初級mosfet開關(guān)損耗

次級mosfet導通損耗

變壓器漏感導致的損耗

輸出電容電流應(yīng)力

上面的計算基于輸入電壓恒定為60V，但實際情況是25~125V。這個情況下，反激拓撲顯示出它的優(yōu)勢，可能更恰當?shù)恼f應(yīng)該是正激、半橋變得更加難以設(shè)計，其原因在于占空比變化過大，導致次級開關(guān)管電壓應(yīng)力大，同時初級mosfet的開關(guān)損耗可能超過反激

  因為功率為400W，我考慮三個方案：全橋，雙相交錯有源嵌位正激或反激。全橋初級需要四個mosfet，且驅(qū)動要浮驅(qū)，比較難找到合適的驅(qū)動芯片；雙相交錯有源嵌位正激需要兩個N管，兩個P管，同樣有驅(qū)動芯片難找的問題；同時因為以前沒有做過反激，對反激比較感興趣，在一個以前的同事建議下選擇雙相交錯反激。后來事實證明我當時錯誤估計了漏感的影響，導致了使用復雜的吸收電路。