在微波科技及技術(shù)研討會（MTTS）上，我參加了一場有關(guān)砷化鎵和CMOS用于RF電路設(shè)計的座談會。依我看來，GaAs陣營略占優(yōu)勢。但當(dāng)我在網(wǎng)絡(luò)上發(fā)表此一觀點的文章時，CMOS的支持者卻非常不高興，他們認為我錯誤地描述了RF CMOS的情況，并且質(zhì)問我為何如此偏袒那些傳統(tǒng)的“老”技術(shù)。

　　因此，我又重新采訪了許多認同CMOS技術(shù)的人士，完成另一篇平衡報導(dǎo)。但老實說，在RF領(lǐng)域，我還是沒有完全被CMOS技術(shù)所說服。沒錯，CMOS晶體管很便宜，使其適于系統(tǒng)級芯片的集成，并可用于構(gòu)建射頻組件，這些觀點都被座談會上的來賓所認同；但對于將CMOS技術(shù)用來設(shè)計RF功率放大器（PA），與會者卻未必贊成。

　　CMOS放大器可能會非常地龐大，為了發(fā)送一個2GHz RF的載波，你需要一些設(shè)計，使其能夠驅(qū)動一純凈的正弦波到天線。能夠雙向傳導(dǎo)電流的多源GaAs異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，能夠相當(dāng)有效地完成這一任務(wù)，其大量生產(chǎn)的成本不到70美分。所以，如果CMOS成本更高、上市時間更長、可擴充性不佳，而且從未達到超過55%的效率，那么為何還要拼命掙扎于采用CMOS技術(shù)呢？

　　如果CMOS真的能夠取代以前的雙極電路功能，而我們卻偏偏不愿接受這個事實，那真的是愚蠢無比。但關(guān)鍵在于，要了解將CMOS技術(shù)應(yīng)用到模擬設(shè)計中，到底有什么好處。記得，在今年度的國際固態(tài)電路會議上，許多場研討會中都提到，重點在于過采樣（oversample），這里可以舉出兩個例子，而這兩個例子都根本改變了我們設(shè)計的方式。

　　一個是delta-sigma轉(zhuǎn)換，其中過采樣有效地修正了測量交流電信號振幅對時間變化的機制。平常，如果你進行奈奎斯特采樣（兩倍于所要捕獲信號的最大頻率），你需要解決最大與最小信號振幅之間的巨大差距。

　　用256倍過采樣，一次取樣與下一個振幅之間對時間軸的差異會變得非常小。事實上，它小得足夠在一個時間間隔內(nèi)被捕獲一位。將此觀念延伸到磁帶（或其它儲存設(shè)備），或透過開關(guān)電容播放（充電和放電交替），串行資料串流能以24位解讀交流電訊號。這種組件如今廣泛用于公路過磅站的音頻訊號記錄及播放，如果德州儀器認同，還可用于精密測量（參照直流電壓設(shè)計）。這種情況下用CMOS實現(xiàn)很容易。

　　另外一個CMOS將雙極技術(shù)擠出市場的例子是磁盤驅(qū)動器讀取信道。較高儲存容量的關(guān)鍵是提升數(shù)據(jù)傳輸率。但位域間隔如此密集，以至于區(qū)分一位訊號的上升沿與另一個訊號的下降沿變得幾乎不可能。因此，采樣技術(shù)從雙極輸入電路測量振幅的模擬峰值檢測機制，轉(zhuǎn)移到捕獲大量信號轉(zhuǎn)換的數(shù)字過采樣機制，并依賴DSP來估計實際的資料串流。

　　當(dāng)Marvell Semiconductor公司開始談?wù)揅MOS讀取信道時曾遭到質(zhì)疑，因此最初該公司只是保守地揭露部分技術(shù)細節(jié)。但當(dāng)它成為領(lǐng)先的高性能2.5英寸硬盤讀取信道供貨商時，Marvell變得暢所欲言。它公布了采用8階Butterworth濾波器，部分原因是消除CMOS開關(guān)噪音，但表示該設(shè)計將再進行擴充。

　　也許這個教訓(xùn)對在MTTS上聲稱用0.13微米CMOS技術(shù)制造出RF PA的Axiom Microdevices公司及其它有類似項目的公司而言，只有當(dāng)事實真正能被認可時，反對者才會閉口。