非揮發性相變記憶體技術長久以來一直被討論是否可取代現有的主動式記憶體和快閃記憶體，但迄今仍充滿爭議，因為盡管多年來有許多公司相繼投入研發，但仍未達量產水準。
　　
　　不過，盡管如此，三星的研究團隊仍計劃在今年底(12月5~7日)的IEDM上，透過展示完全整合的20nm相變化隨機存取記憶體單元，揭示PCM和電阻式RAM的最新研究進展。這個記憶體單元包含了創新的底部電極材料，這種材料主要是為了能獲得低于100mA重置電流所開發的，
　　
　　在此同時，旺宏(MacronixInternational)和IBMT.JWatson研究中心的研究人員則將提出三篇論文。Paper3.2探討具備30mA重置電流和10^9使用周期的39nm元件架構。該團隊在一個電極下的熱屏障中使用導熱效率較差的TaN。30mA的重置電流據稱已經比前一代元件降低了90%。
　　
　　另一篇Paper3.4則說明旺宏和IBM的研究小組在鍺-銻-碲(GeSnTe，或GST)材料方面的探索成果，以及優于GST-225材料的新發現。(transitiontemperature)幾乎高出100℃，因而具備更好的熱穩定性。
　　
　　旺宏與IBM還進一步制造了一個128Mb的元件，該元件顯示了10^8(1億)的耐用循環次數，耐受溫度則高達190℃。