?? 1960年，中科院在北京建立半導體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所（河北半導體研究所）。

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?? 1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。

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?? 1962年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。

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?? 1963年，河北省半導體研究所制成硅平面型晶體管。

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?? 1964年，河北省半導體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

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?? 1965年12月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，并在國內首先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。

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?? 1966年底，在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。

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?? 1968年，組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

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? ?1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬－氧化物半導體）電路（MOSIC）。拉開了我國發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。