近日，NEC電子(歐洲)宣布推出新型低電壓" title="低電壓">低電壓電源管理器件(PMD)。該系列產(chǎn)品的推出使P溝道NP系列產(chǎn)品可覆蓋-15A至-100A的漏極電流。該系列產(chǎn)品采用普通的TO-252（DPAK）和TO-263（D2PAK）貼片封裝。產(chǎn)品包含2種額定漏源電壓（-40V" title="40V">40V和-60V）及可由邏輯門驅(qū)動產(chǎn)品。在DPAK封裝系列中，低漏極電流器件（ID（DC）<50A）中的導(dǎo)通電阻" title="導(dǎo)通電阻">導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為9.6mOhm（NP50P04SDG）至75mOhm（NP15P06SLG）。而在D2PAK封裝系列中，額定漏極電流為-100A的器件的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）則降至3.7mOhm。
能實(shí)現(xiàn)P-溝道功率MOSFETs超低" title="超低">超低導(dǎo)通阻抗（RDS(ON)）值主要是因?yàn)椴捎昧薝MOS-4工藝。該工藝采用0.25um的設(shè)計規(guī)則，將單元密度提高到了160Mcells/inch2,同時降低了單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。和NP系列的其他產(chǎn)品一樣，新產(chǎn)品按照AEC-Q101流程制造，額定溫度為175℃，純錫電鍍管腳完全符合RoHS要求。雪崩能量從19mJ（NP15P06SLG）至550mJ（NP100P04PLG），因芯片不同而有所差異。
這一系列低導(dǎo)通電阻器件符合P-溝道器件在汽車電子應(yīng)用中日益增長的需求。在電池反接保護(hù)、H橋直流電機(jī)驅(qū)動等標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用中，P-溝道功率MOSFETs與N-溝道器件相比具有明顯的優(yōu)勢。
NP系列是NEC電子低電壓開關(guān)器件" title="開關(guān)器件">開關(guān)器件家族中的一員，NEC電子的低電壓開關(guān)器件為電源、汽車系統(tǒng)、電機(jī)控制和辦公室、機(jī)器人和不間斷電源提供高效率的電源管理。如需獲取更詳細(xì)的新P-溝道功率MOSFETs和其他PMDs信息，請訪問 NEC電子（歐洲）網(wǎng)站：www.eu.necel.com/mosfet或NEC電子（中國）www.cn.necel.com
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