飛兆半導(dǎo)體的 100V BOOSTPAK 解決方案提高了可靠性， 降低了 LED 應(yīng)用中的系統(tǒng)成本
2013-06-05
飛兆半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所代號：FCS）是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化MOSFET 和二極管選擇過程，將MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi)，代替LED 電視/ 顯示器背光、LED 照明和DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
通過將MOSFET 和二極管集成到一個獨(dú)立封裝內(nèi)，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD設(shè)備節(jié)省了電路板空間，簡化了裝配，降低了材料清單成本并改進(jìn)了應(yīng)用的可靠性。
該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體PowerTrench®工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝專用于最小化導(dǎo)通電阻，同時保持卓越的開關(guān)性能。NP二極管為超快速整流器，帶低正向?qū)▔航担哂谐錾拈_關(guān)性能。與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進(jìn)了高溫應(yīng)用中的系統(tǒng)可靠性。
主要功能：
FDD1600N10ALZD:
- RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
- RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A
- 低柵極電荷= 2.78 nC（典型值）
- 低反向電容(Crss) = 2.04 pF（典型值）
FDD850N10LD:
- RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A
- RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A
- 低柵極電荷= 22.2 nC（典型值）
- 低反向電容(Crss) = 42 pF（典型值）
都有：
- 快速開關(guān)
- 100%經(jīng)過雪崩測試
- 可提高dv/dt處理能力
- 符合RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
報價:（訂購1,000 個）
FDD1600N10ALZD的價格為0.49美元。
FDD850N10LD的價格為0.57美元
可供貨期:按請求提供樣品。
交貨期:收到訂單后8-12 周內(nèi)
飛兆半導(dǎo)體為所有電視和顯示器應(yīng)用，包括PDP 電視、LCD 電視和顯示器，以及LED 電視和顯示器提供功率和背光解決方案。專為小空間應(yīng)用設(shè)計的規(guī)格幫助設(shè)計師使其產(chǎn)品脫穎而出，同時還可提供較高的功率密度并維持高度可靠性。
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http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD1600N10ALZD.pdf
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查詢更多信息，請聯(lián)絡(luò)飛兆半導(dǎo)體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問公司網(wǎng)站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。
飛兆半導(dǎo)體公司簡介
美國飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號：FCS) －全球營運(yùn)、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導(dǎo)體專為功率及便攜設(shè)計提供高能效、易于應(yīng)用及高增值的半導(dǎo)體解決方案。我們幫助客戶開發(fā)差異化的產(chǎn)品，并以我們在功率和信號路徑產(chǎn)品上的專業(yè)知識解決他們遇到的困難技術(shù)挑戰(zhàn)。查詢更多信息，請訪問網(wǎng)站：www.fairchildsemi.com。