《電子技術(shù)應(yīng)用》
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意法半導(dǎo)體(ST)超高性能加速度計/陀螺儀雙片6軸傳感器解決方案 支持始終開啟工作模式,降低功耗和空間基準(zhǔn)

高能效和低噪聲讓新產(chǎn)品成為物聯(lián)網(wǎng)、穿戴式裝置、室內(nèi)導(dǎo)航和手持應(yīng)用的理想選擇
2014-09-13

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、全球領(lǐng)先的MEMS制造商及消費性電子和移動設(shè)備MEMS供應(yīng)商[1]意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布開發(fā)首款 iNEMO™ Ultra產(chǎn)品- 始終開啟、高性能加速度計陀螺儀雙片6軸傳感器解決方案。新產(chǎn)品在運動傳感器市場確立新的器件級和系統(tǒng)級能效、信號噪聲和性能標(biāo)桿。配合意法半導(dǎo)體的STM32超低功耗系列微控制器,LSM6DS3雙片解決方案將給移動產(chǎn)品、穿戴式裝置和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品內(nèi)置的電池供電型智能傳感器系統(tǒng)帶來新的發(fā)展機遇。

iNEMO Ultra微型(2.5mm x 3.0mm x 0.8mm)雙片6軸(3軸加速度計/3軸陀螺儀)慣性傳感器提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低噪聲性能[2],同時采用先進的高效系統(tǒng)功耗管理技術(shù),測試結(jié)果證明,在低功耗模式下,新產(chǎn)品能效比同級最好產(chǎn)品高20%;同時新產(chǎn)品還具有出色的性能,并保護寶貴的電路板資產(chǎn)。

這些優(yōu)勢在一定程度上歸功于市場上容量最大的“智能” FIFO (First-In First-Out)存儲器(8KB) — 存儲容量比市面上其它產(chǎn)品至少大2倍,這個靈活的存儲器讓LSM6DS3在系統(tǒng)處理器喚醒前保存處理更多數(shù)據(jù),同時節(jié)省系統(tǒng)總體成本。此外,意法半導(dǎo)體市場領(lǐng)先的微加工加速度計和陀螺儀采用其穩(wěn)健且成熟的制造工藝,利用CMOS技術(shù)制造芯片接口。這種選擇支持專用電路微調(diào),以更好地匹配傳感器單元的特性。

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼模擬器件、MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedetto Vigna表示:“我們的新6軸雙片超級傳感器具有市場上最低的功耗和最好的噪聲密度,可大幅提升物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的能效和便利性。隨著新產(chǎn)品加入我們業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品組合,憑借我們對整個供應(yīng)鏈的掌控,以及我們在所有產(chǎn)品內(nèi)融入系統(tǒng)能效的技術(shù)實力和優(yōu)勢,意法半導(dǎo)體不斷提高運動傳感器市場的性能標(biāo)桿。”

LSM6DS3最終產(chǎn)品將會是一個優(yōu)化的系統(tǒng)級封裝雙片解決方案,集成高性能3軸數(shù)字加速度計和3軸數(shù)字陀螺儀,提供高能效工作模式,在始終開啟模式下,功耗最低至0.6mA。新雙片方案整合始終開啟低功耗功能和優(yōu)異的感測精度,超低的噪聲確保運動檢測和分析功能達到業(yè)內(nèi)最高水準(zhǔn)。

LSM6DS3事件檢測中斷功能可實現(xiàn)高效可靠的硬件運動跟蹤和上下文感知功能,讓設(shè)備能夠檢測自由落體事件、6D方向、屏幕單雙擊、活動或非活動和喚醒事件。憑借意法半導(dǎo)體在支持主流操作系統(tǒng)方面積累的經(jīng)驗,LSM6DS3將能夠有效地處理現(xiàn)實、虛擬和批模式傳感器數(shù)據(jù),節(jié)省電能,加快系統(tǒng)響應(yīng)。事實上,新產(chǎn)品在設(shè)計上通過硬件實現(xiàn)有效運動、傾斜度、計步器功能和時戳,支持軟硬鐵修正外部磁力計數(shù)據(jù)采集。

最后,LSM6DS3將會為開發(fā)人員提供充足的硬件靈活性,通過不同的連接方式將引腳連至外部傳感器,執(zhí)行傳感器集線器、輔助SPI(串行外設(shè)接口)等附加功能和其它的重要功能。

LSM6DS3雙片傳感器將于2014年第四季度上市。



[1]來源:IHS Consumer and Mobile MEMS Market Tracker H1 2013

[2]在高性能模式下,輸出數(shù)據(jù)速(ODR)=104Hz時,加速度計噪聲密度=90 μg/√Hz(典型值)和0.6 mg-rms。
   在高性能模式下,輸出數(shù)據(jù)速(ODR)=10Hz時,陀螺儀噪聲密度= 0.007 °/s/√Hz (典型值),輸出數(shù)據(jù)速(ODR)=208Hz時,陀螺儀噪聲= 0.07 °/s-rms。

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