日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。
　
　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級(jí)產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。
　
　　Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)，器件的芯片級(jí)封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內(nèi)提供了超低導(dǎo)通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6，而導(dǎo)通電阻則很相近，從而為其他產(chǎn)品功能騰出空間，或是使終端產(chǎn)品變得更小。
　
　　MOSFE的低導(dǎo)通電阻意味著負(fù)載、充電器和電池開關(guān)中更低的壓降，使智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等個(gè)人手持設(shè)備能夠更快地充電，在兩次充電之間的電池壽命更長(zhǎng)。
　
　　MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)范，符合RoHS指令2002/95/EC。
　
　　Si8499DB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
　
VISHAY簡(jiǎn)介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無(wú)源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。
　
　　TrenchFET®和MICRO FOOT®是Vishay Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。