英飛凌和松下日前簽署一項合作，聯合開發GaN器件，該產品是基于松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
日前，公司將率先推出600V 70mΩ的樣片，采用DSO封裝。
作為下一代重要的半導體技術，GaN越來越受到重視，主要特點是具備高功率密度小尺寸的特點，另一點則是提高能源效率的一大關鍵。
一般來說，基于硅上GaN技術的電力設備可用于廣泛的領域，從高電壓的工業應用，如服務器電源到DC-DC轉換的低電壓應用等。
IHS預測，GaN功率器件相關市場年復合增長率將超過50%，從如今的1500萬美元至2023年的8億美元。
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