1.高通將重回臺積電懷抱，生產7nm芯片？

　　高通（Qualcomm）為了新歡三星電子，一腳踢開舊愛臺積電。不過臺積電正宮不是當假的，自有辦法喚回變心情人。J.P. Morgan 表示，臺積電的奈米制程進度超前，預料 2018 年高通會回頭找上臺積電，生產 7 奈米制程晶片。

　　霸 榮（Barronˋs）網站 7 日報導，高通為了 14 / 10 奈米制程舍棄臺積電，轉向三星下單，今年的 14 奈米、明年的 10 奈米晶片都由三星生產。高通原本是臺積電大客戶，2014 年占臺積電 20% 以上營收，轉單之后比重驟降，2016 年高通占臺積電營收比重減至 9%、2017 年更只剩 4%。

　　但是臺積電的正宮魅力不可小覷，J.P. Morgan 預估，2018 年高通又會重回臺積電懷抱。該行分析師哈戈谷（Gokul Hariharan）報告指出，臺積電 10 奈米 / 7 奈米進度飛快，聯(lián)發(fā)科、蘋果、華為旗下的海思可能會在 2018 年上半采用 7 奈米制程，應會使高通回心轉意，再與臺積電合作，生產 7 奈米晶片。

　　哈戈谷表示，臺積電長期生產可編程邏輯晶片（FPGA）、GPU、網路和儲存晶片，在高效能的晶圓代工領域，如數(shù)據中心晶片和高度運算晶片等，表現(xiàn)優(yōu)于三星。幾乎所有 ARM 伺服器晶片廠商都只找臺積電代工。

　　2.TCL李東生：以參股方式投資芯片項目；

　　與資本市場大佬趙偉國的合作，讓李東生一現(xiàn)身兩會現(xiàn)場，就引發(fā)記者圍攻。

　　對于與趙偉國的合 作，全國人大代表、TCL集團董事長李東生接受《證券日報》記者采訪時表示：“TCL目前不會投資芯片制造，但將會以參股等形式參與芯片項目。我與趙偉國 的合作，將不僅在芯片領域，半導體顯示、智能化技術等領先產業(yè)都是我們考慮的范圍。”他透露，目前他與趙偉國已經鎖定下一個標的，很快將展開行動。

　　“并購是件意見復雜的事，與2004年我們完成第一件大型并購時相比，現(xiàn)在的中國經濟更強大，現(xiàn)在企業(yè)能夠從國家產業(yè)基金尋找支持，企業(yè)的并購能力也更強。而我們也要適時尋找合作伙伴和資金支持，在這輪產業(yè)調整中把握機會。”李東生如是說。

　　而近期他找到了資本大鱷趙偉國、牽起了互聯(lián)網大佬賈躍亭的手，也正是出于看中這輪產業(yè)并購機會的考慮。

　　這次與在市場掀起多筆億元級并購的趙偉國的合作，李東生在醞釀一個更大的局。

　　“目前TCL沒有投資芯片制造的計劃，但將會以參股等形式參與芯片項目。”李東生告訴記者：“我們正在籌備智能專項投資基金。隨著‘中國制造2025’實施的加快，中國在很多領域將大量采用智能化技術取代現(xiàn)有技術，這給我們的產業(yè)布局提供機會。”

　　李東生直言，三星并不難被超過，并點贊華為。“不過華為手機盡管做的很不錯，其主要的盈利還是來自于國內，但是在海外，華為手機與TCL在國外所面臨的處境一樣，都賣不出很高的價格，很難和蘋果等品牌競爭。”

　　直面與蘋果等企業(yè)的巨大差距，李東生表示，TCL會做深消費電子這個產業(yè)鏈，將圍繞半導體顯示以及芯片設計等技術密集以及資本密集的領域繼續(xù)加大投入。 “目前TCL在研發(fā)上投入很大，去年投入了逾40億元，占銷售收入比例的4%，目前公司專利申請量多集中在半導體顯示、通訊、互聯(lián)網和智能化三個領域。”

　　李東生透露，趙偉國負責找錢，而他正在看項目。“下一個目標將很快落定。”

　　“我們還會選擇一些并購機會，擴大我們業(yè)務規(guī)模和產品線。我們和紫光合資成立的產業(yè)并購基金，主要是用于這方面。”李東生說：“除了和紫光合作的并購基金之外，我們可能還會繼續(xù)參與若干個并購基金的項目。”  證券日報

　　3.聯(lián)發(fā)科2月營收減37％ 1年來新低 3月有機會挑戰(zhàn)1月高峰；

　　手機晶片聯(lián)發(fā)科(2454-TW)今(7)日公布2月營收，達132億元，較1月下滑37.9%，較去年同期則成長36.9%，累計前2月營收達 345.7億元，較去年同期成長27.39%；以聯(lián)發(fā)科給的第1季財測營收目標525-574億元計算，聯(lián)發(fā)科第1季營收若可達高標，3月營收不排除超越 1月高峰。

　　聯(lián)發(fā)科今日公布2月營收，受工作天數(shù)減少因素影響，加上客戶端提前在1月拉貨，因此營收較1月明顯修正，月減幅度達37.9%，不過由于合并立錡營收，因此仍較去年同期成長22%。

　　聯(lián) 發(fā)科預期第1季營收受到淡季工作天數(shù)不足因素影響，約較第4季減少7-15%，估達525-574億元，1月營收沖上213億元，創(chuàng)歷史第三高紀錄，2月 營收明顯修正，但前2月營收已達345.7億元，距離第1季財目標僅有179-228億元的缺口，可預期3月營收將明顯回升，若第1季要挑戰(zhàn)高標，3月營 收不排除有機會再挑戰(zhàn)1月高峰。

　　聯(lián)發(fā)科對今年營收仍正面看，估年營收有機會較去年成長1成，其中智慧型手機與物聯(lián)網相關成長有2為束縛度，數(shù)位家庭微幅成長。鉅亨網

　　4.SSD批發(fā)價大跌12％，PC廠采購價直逼傳統(tǒng)硬盤；

　　TrendForce日前發(fā)布2016年SSD季報，SSD的平均合約價格在今年第1季呈現(xiàn)衰退，而SSD和HDD的價差最小將低于3美元，換句話說，PC廠商用SSD來取代筆電內建的傳統(tǒng)硬碟，成本價兩者差不多。

　　全 球市場研究機構TrendForce旗下的記憶體儲存事業(yè)部門DRAMeXchange日前發(fā)布2016年SSD季報，PC制造商采購SSD的平均合約價 格在今年第1季呈現(xiàn)衰退，跌幅最多為12％，價格相當接近傳統(tǒng)HDD硬碟。另外，今年筆記型電腦采用SSD的搭載率將超過30％。

　　在SSD和HDD的價差方面，根據DRAMeXchange，在2016年，128GB的SSD和500GB的HDD之間的價差將低于3美元，而256GB的SSD和1TB的HDD的價差也預期將低于7美元。

　　而 從架構來看，采用MLC架構的SSD價格下降了10％～12％，而TLC架構的SSD則下跌了7％～12％，DRAMeXchange表示，除了三星 （Samsung）以外的廠商，大部分的SSD廠商才剛開始出貨他們的TLC架構SSD，所以TLC架構的SSD價格跌幅較MLC架構低。

　　另外，第1季通常是筆記型電腦的淡季，且是一年當中工作日較少的季度，因此，PC制造商會減少采購，導致SSD囤貨需求大幅下滑。同時，NAND快閃記憶體供應商因為產業(yè)的整體產能大幅提升，所以只能持續(xù)減低產品價格。

　　DRAMeXchange 也預估，用戶端SSD（Client-SSD）總出貨量在今年第1季相較于前一季將下降4％～6％，而筆記型電腦出貨量的跌幅比SSD出貨量的跌幅還嚴 重，所以在第1季出貨的筆記型電腦中，將有大量的電腦搭載SSD，因此，全球筆記型電腦的SSD搭載率不減反增，提升了30％～31％。

　　以 SSD供應商來看，三星有采用3D NAND快閃記憶體技術的TLC架構SSD，將持續(xù)主導今年SSD市場價格的優(yōu)勢，而其他SSD制造商如SanDisk、光寶科技（Liteon） 、東芝（Toshiba）和SK海力士（SK Hynix），將加緊提升15奈米或16奈米制程的TLC架構SSD出貨量，藉此獲取更高的利潤。

　　另外，根據DRAMeXchange，目前僅有三星大量生產3D NAND快閃記憶體技術的SSD，其他廠商的3D NAND快閃記憶體技術SSD最快在第2季才會出貨。ithome

　　5.歐盟為5G打造III-V族CMOS技術；

　　歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經費高達470萬美元的計劃重點是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統(tǒng)。

　　除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(Lund University)、英國格拉斯哥大學(University of Glasgow)以及愛爾蘭丁鐸爾國家研究所(Tyndall National Institute)等組織聯(lián)手進行。

　　以IBM與隆德大學為主導的這項計劃可分為兩個階段，IBM專注于傳統(tǒng)平面電晶體原型與III-V族通道，而隆德大學則將深入研究垂直III-V族電晶體通道的可用性。

　　“首先，合作夥伴們將先共同確定水平或垂直電晶體原型是否最具有遠景，”IBM的科學家Lukas Czornomaz介紹，“接著，我們將聯(lián)手在三年計劃屆滿以前推出一款射頻(RF)測試電路，例如功率放大器(PA)。”

　　IBM 有信心其平面方法將可發(fā)揮效用，因為該公司已經在一份去年發(fā)表的研究報告(該報告主題為IBM Scientists Present III-V Epitaxy and Integration to Go Below 14nm)中證實了這一途徑在14nm及其后的可行性。

　　IBM 的制程途徑是透過其所謂的“模板輔助選擇性外延”(TASE)技術。研究人員在矽基板上得以相容前閘極(gate-first) CMOS的理想III-V族電晶體通道所在位置生長氧化物銅絲。接著再用III-V材料涂布奈米線，使其僅在1奈米級或埃級的區(qū)域接觸基板。最后，研究人 員從III-V涂布奈米線內部移去氧化層，因而使III-V族奈米管電晶體通道準確地位于正確位置。

　　(a)采用IBM技術整合于矽晶上的III-V族半導體橫截面圖。由堆疊斷層組成的晶種區(qū)(b,c)存在較多缺陷，而遠離晶種區(qū)域可觀察到完美晶格結構——未與矽晶匹配的部份僅8%，呈現(xiàn)完全松弛的III-V結構(d,e)

　　IBM預期，毫米波(mmWave)的RF性能功耗水準比目前更低得多，不僅可用于促進5G進展，同時還可用于認知電腦、下一代物聯(lián)網(IoT)以及基于云端的支援平臺。

　　INSIGHT 計劃的既定目標在于使CMOS擴展到超越7nm節(jié)點以后，從而開啟一個以超高性能SoC服務為基礎的全新應用范圍。除了IBM與隆德大學，包括 Fraunhofer、LETI、格拉斯哥大學與丁鐸爾國家研究所等其他合作夥伴也分別為這項計劃貢獻在III-V族CMOS方面的專業(yè)知識與技術。

　　6.日月光公布日矽并民調 矽品四點質疑 批問卷對象錯誤

　　日月光今(7)日發(fā)表日矽并民調，矽品對此回應，日月光為遂其惡意并購之私利，連政治選舉手段都用上，矽品對此民調提出四點質疑，包含問卷設計不專業(yè)，問卷對象錯誤，未提供充分資訊與不敢提惡意并購。

　　矽品針對日月光今日發(fā)表的民調，提出四點質疑，批日月光為其惡意并購之目的，也用上政治手段。

　　矽品質疑，日月光民調問卷設計不專業(yè)，將專業(yè)問題當成公民題目，是社會上最反感的操作民粹，若將問卷題目換成矽品并購日月光或日月光并購任一公司，相信都會得到相同的答案。

　　再者，矽品質疑，日月光的問卷對象錯誤，矽品認為，作民調也應以半導體產業(yè)從業(yè)人員為對象，并購與否是專業(yè)問題，與一般人民無關，因此采信度很低。

　　第 三，矽品質疑，日月光民調并未提供充分資訊，一般民眾并不了解，惡意壟斷型并購會限制上下游產業(yè)競爭、造成同業(yè)被淘汰，還有大量失業(yè)人員，技術及訂單數(shù)百 億元流失到中國大陸及其他國家等，加上惡意并購帶來企業(yè)文化問題、整并困難，恐讓臺灣損失一名世界杯國家代表隊等，因此，資訊不足的民調根本不可取。

　　最后，矽品質疑，日月光的民調甚至不敢提惡意并購，足見日月光管理者的心虛與取巧，也凸顯日月光惡意并購的正當性不足。