北京時間5月18日上午消息，PC和手機重新啟動、加載應(yīng)用的速度常常令人抓狂。IBM本周發(fā)布了一項新技術(shù)，有望解決這一問題。

IBM的相變存儲芯片

　　IBM周二宣布了“相變存儲”技術(shù)的重要進步。相變存儲技術(shù)的開發(fā)已有多年時間，而IBM認為，這項技術(shù)的成本已降至可接受的范圍，從而可以進入商用階段。

　　相變存儲技術(shù)也可以給Facebook等公司帶來幫助。這些公司的需求是迅速訪問大量信息。

　　IBM研究員哈里斯·珀奇迪斯(Haris Pozidis)在周二的巴黎存儲技術(shù)大會上公布了這一成果。他認為，相變存儲技術(shù)將于2017年成功商用。

　　相變存儲技術(shù)需要對芯片內(nèi)特殊的微型玻璃材料進行電加熱。材料中每個單位的降溫方式可用于決定芯片中保存的數(shù)據(jù)。在逐步降溫時，原子將會呈晶格 式排列。在迅速降溫時，原子排列將雜亂無章。晶格狀態(tài)具有很好的導(dǎo)電性，而雜亂無章的狀態(tài)導(dǎo)電性很差。判斷這樣差別將使計算機知道，每個單位中保存的數(shù)據(jù) 是0還是1。

　　IBM已經(jīng)對這項技術(shù)進行了改進，從而可以保存更多的數(shù)據(jù)位。2011年，IBM成功實現(xiàn)了在單個單位中保存兩位數(shù)據(jù)。

　　本周二，珀奇迪斯宣布，單個相變存儲單位已可以保存三位數(shù)據(jù)。在一塊芯片中保存更多的數(shù)據(jù)意味著相變存儲的技術(shù)成本下降，相對于傳統(tǒng)存儲技術(shù)更具競爭力。

　　目前，手機和PC使用兩種技術(shù)去保存數(shù)據(jù)，分別為能耗較大的DRAM動態(tài)存儲，以及存取速度較慢、成本較低的閃存存儲。相變存儲技術(shù)結(jié)合了 DRAM和閃存的優(yōu)點。DRAM的存取速度是相變存儲的5到10倍，但相變存儲的存取速度是閃存的約70倍。因此，搭載相變存儲元件的手機應(yīng)用加載速度將 更快。IBM預(yù)計，相變存儲技術(shù)的成本要低于DRAM，甚至可以降至與閃存同樣的水平。

　　不過，使成本降低至閃存的水平并不容易。相關(guān)廠商仍在繼續(xù)改進閃存技術(shù)。因此，第一代iPad中最大僅提供了64GB的閃存，而當前的iPad Pro最大已提供256GB。