全新ALTUS? Max E系列產品聚焦低氟、低應力、低電阻率的3D NAND 和 DRAM高效能解決方案

　　美國加利福尼亞州弗里蒙特市——全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團（納斯達克股票代碼：LRCX）今天宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝，標志著其業界領先的 ALTUS? 產品系列又添新成員。通過業內首創的低氟鎢（LFW） ALD 工藝，ALTUS Max E 系列能夠幫助存儲器芯片制造商應對當前所面臨的諸多關鍵挑戰，從而推動3D NAND 及 DRAM 器件尺寸持續縮小。這一基于泛林業界領先的存儲器制造產品組合的全新系統正逐步吸引全球市場的關注，在推出后已被全球主要3D NAND和DRAM生產商投入使用，并且被用于許多新技術和產品的研發。

　　泛林集團首席運營官Tim Archer表示：“隨著消費者對電子設備性能要求的不斷提高，我們需要容量更大、性能更佳的存儲器，而沉積和刻蝕工藝技術正是生產先進存儲芯片的關鍵。此次發布的ALTUS Max E系列產品使進一步擴大了我們用于存儲器制造的產品組合，能夠幫助客戶牢牢把握下一波行業浪潮所帶來的機遇。在過去的十二個月里，3D NAND技術取得了快速發展，而我們的相應設備交貨量也隨之翻了一番，從而使我們在3D NAND沉積和刻蝕設備市場占有了最大的份額。”

　　由于芯片制造商不斷增加3D NAND中的存儲單元層數，對于字線填充應用中的鎢沉積工藝，有兩大問題日益突顯。首先，從鎢薄膜擴散到電介質層的氟會導致多種物理缺陷；其次，對數超過 48 的器件中積累應力較高，這將導致器件過度彎曲變形。這些缺陷和變形會影響產品良率，致使器件電氣性能和可靠性下降。上述問題要求我們必須大幅降低用于3D NAND中的鎢薄膜的氟含量和內應力。此外，隨著關鍵尺寸的不斷縮小，對于 DRAM 掩埋字線以及邏輯元件中的金屬柵極/金屬觸點應用，降低電阻將變得更具挑戰。

　　泛林集團沉積產品事業部副總裁 Sesha Varadarajan 表示：“隨著存儲器芯片制造商不斷邁向更小的工藝節點，需要填充的器件結構不斷變窄，深寬比不斷變大，結構本身也日益復雜。泛林全新的低氟鎢原子層沉積解決方案在保持鎢填充性能和生產效率的前提下，利用一種受控的表面反應來調節應力和氟含量，并有效降低電阻。與傳統化學氣相沉積 (CVD)的鎢填充相比，ALTUS Max E 系列產品工藝可使檢測到的氟減少 100 倍、內應力降低10倍、薄膜電阻率降低 30%。這將幫助我們客戶應對其當前在器件的尺寸縮小和系統集成上所面臨的最關鍵的挑戰。”

　　采用 LFW ALD 技術的 ALTUS Max E 系列產品可提供獨特的全 ALD 沉積工藝，在生產中使用了超過 1000 種的不同工藝模塊，并能充分利用泛林的PNL?（脈沖形核層）技術——這一技術已連續領先行業15年，被視作鎢原子層沉積的行業標桿。泛林憑借這一技術引領了化學氣相沉積鎢成核向原子層氣相沉積鎢成核的轉化，并依靠其推出的ALTUS? Max with PNLxT?, ALTUS? Max with LRWxT?, 以及ALTUS? Max ExtremeFill?等一系列產品，在提高填充性能的同時，進一步推動了低電阻鎢解決方案的發展，延續了泛林在這一領域的領導地位。

　　此外，ALTUS系列產品使用了泛林四站模塊 (QSM) 架構，可以有效降低氟含量、應力和電阻，實現鎢成核及鎢填充的各站優化。同時，由于站溫可獨立設置，在實現上述優化的同時不會犧牲填充性能。通過為每個系統提供多達 12 個基座，QSM 的配置還可最大限度地提高全 ALD 工藝的生產效率，進而實現當前業內最高的器件生產效率。