微觸發單向可控硅TSE2P4M和TSE0405采用全新的設計方法和工藝技術，大大改善了其開關性能和溫度特性。經國內主要摩托車電器裝備廠家使用實踐證明，該產品能夠克服上一代產品中存在的觸發電流不易控制、溫度特性差和開關速度低等弱點，有效提高點火器的點火能量及可靠性，其電性能已經達到了國外同類產品的水平。該產品將在2008年8月22日在重慶舉辦的“2008摩托車電子應用技術創新研討會”會上發布及展示。
TSE2P4M和TSE0405是利用短基區擴散層的次表面層形成G-K間較大的橫向擴散電阻RGK，當可控硅的門極和陰極間加電流IG時，在RGK上產生一個電壓降VR，只有當VR≥P-N結的門坎電壓VR時，可控硅才會觸發。這項新技術的實現，克服了目前市場上的微觸發單向可控硅溫度特性差、IGT離散性大、開關速度低、VTM大的弱點，有效提升性能，滿足了客戶的需求。
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