7月7日至8日，致力于碳化硅功率器" title="功率器" target="_blank">功率器件技術創(chuàng)新的深圳基本半導體有限公司（以下簡稱基本半導體）出席電氣化交通前沿技術論壇。本次活動由清華大學、英國諾丁漢大學、中車株洲電力機車研究所聯(lián)合主辦，邀請眾多專家學者和企業(yè)代表探討電氣化交通的關鍵技術與發(fā)展方向。

氣化交通前沿技術論壇與會嘉賓合影

電氣化交通具有綠色清潔、節(jié)能環(huán)保、可靠性高、經(jīng)濟性好等優(yōu)勢，是解決能源短缺和環(huán)境污染問題的重要方向和手段，具有廣闊的科研和產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間。論壇期間，與會專家圍繞電氣工程應用的軌道交通、電動汽車、船舶電力、新型電力電子器件、儲能、智能電網(wǎng)和能源互聯(lián)網(wǎng)技術等多個主題進行深入探討。

此外，如何實現(xiàn)電氣化交通的“高效、高功率密度、高可靠性、高性能、低成本”等共性問題，也成為此次論壇關注的焦點。基本半導體副總經(jīng)理張振中博士從電力電子器件行業(yè)角度提出了解決辦法，他表示為滿足電氣化交通工具的高性能需求，大力發(fā)展碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)的趨勢已成為行業(yè)共識。

基本半導體副總經(jīng)理張振中博士作主題演講

碳化硅材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)點，通過采用耐高壓、高頻、高溫的碳化硅功率器件，電力電子設備的功率密度可以大幅提升，能夠減小50％的損耗、40％的體積和30％的重量，非常適合應用于新一代的電氣化交通工具。

專注于碳化硅功率器件技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化的基本半導體，由國內(nèi)IGBT驅動領軍品牌青銅劍科技與有20多年碳化硅研發(fā)歷史的瑞典企業(yè)ASCATRON AB共同創(chuàng)辦。基本半導體通過整合海內(nèi)外優(yōu)勢資源，目前在碳化硅功率器件領域已有了突破性進展：基于6英寸晶圓的1200V／20A JBS碳化硅二極管各項指標已達到國際領先水平；1200V平面柵碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成樣品評估，溝槽柵MOSFET已完成工藝設計，樣品即將完成；10kV／2A SiC PiN二極管已實現(xiàn)量產(chǎn)。

正如清華大學副校長薛其坤院士在論壇開幕式指出，發(fā)展電氣化交通對推進能源生產(chǎn)與消費革命具有重要意義。基本半導體將發(fā)揮自身所長，加快推動碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，為電氣化交通和能源領域的科技創(chuàng)新做出應有的貢獻。