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Veeco獲針對SGL初步禁令 中微半導體將受影響

2017-11-07
關鍵詞: Veeco MOCVD 半導體 晶圓

有機金屬化學汽相沉積系統(tǒng)(MOCVD)設備大廠美國維易科(Veeco)宣布,美國紐約東區(qū)地方法院同意了Veeco公司針對SGL Carbon,LLC(SGL)的一項初步禁令請求,該公司是中微半導體設備有限公司(AMEC)的晶圓承載器供應商。據(jù)統(tǒng)計,目前國內前三大LED芯片廠商今年采購的機臺里,Veeco和中微半導體各占一半。業(yè)內人士評論稱,此次禁令可能會讓中微損失不少。

該禁令禁止SGL出售供采用了Veeco專利技術的無基座金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)(MOCVD)使用的晶圓承載器,包括專為AMEC MOCVD系統(tǒng)設計的晶圓承載器。

Veeco公司董事長兼首席執(zhí)行官John R. Peeler說:“這項裁決肯定了Veeco知識產權及其全球專利組合的實力。Veeco狠抓知識產權工作,并堅決維護其在研發(fā)方面的重大投資,包括其在美國,歐洲和亞洲的專利,特別是在中國。”

上述裁決立即生效,禁止SGL在未得到Veeco明確授權的情況下出貨采用了Veeco專利技術的晶圓承載器。這也意味著禁止SGL提供用于所有AMEC MOCVD系統(tǒng)的晶圓承載器。

法院還裁定,盡管SGL有相反的論點,Veeco公司有關“無基座MOCVD反應堆使用的Veeco晶圓載體專利受到SGL的侵犯且該專利有效”的聲稱得到認同的可能性很大。SGL曾經辯稱,其晶圓承載器是基于AMEC的規(guī)格。這項裁決顯示,AMEC不尊重Veeco的知識產權。

在專利案件中,初步禁令是很罕見的,因為在陪審團對專利侵權作出判決之前頒布禁售令有非常嚴格的法律要求。因此,這一裁決顯示了SGL和AMEC侵犯Veeco知識產權的明確性質。

Veeco于2017年4月12日在紐約東區(qū)的聯(lián)邦法院對SGL Carbon,LLC和SGL Carbon SE展開了專利侵權訴訟。SGL生產用于無基座MOCVD系統(tǒng)的晶圓承載器。除了臨時禁令之外,Veeco正在尋求永久性禁令以及經濟賠償?shù)取?/p>

此外, Veeco公司11月1日宣布和ALLOS Semiconductors(ALLOS)達成了一項戰(zhàn)略舉措,展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍/綠光micro-LED 的生產。維易科和ALLOS合作將其專有外延技術轉移到 Propel單晶圓MOCVD系統(tǒng),從而在現(xiàn)有的硅生產線上實現(xiàn)生產micro-LED。

“使用Propel反應腔,我們就擁有了一項MOCVD技術,這項技術能夠實現(xiàn)高產量的GaN外延,滿足在200毫米硅生產線上生產micro-LED器件的所有要求,” ALLOS Semiconductor的首席執(zhí)行官Burkhard Slischka 這樣說。

“不到一個月時間我們就已經在Propel上對我們的技術進行了驗證,并且獲得了無裂紋、無回熔的晶圓,翹曲度低于30微米,晶體質量高,厚度均勻性優(yōu)異,波長均勻性小于1納米。同Veeco攜手,ALLOS期待著將該技術在micro-LED產業(yè)中更為推廣。”

Micro-LED顯示技術由<30x30平方微米的紅、綠和藍(RGB)無機LED組成,這些LED被轉化為顯示屏背板,以形成亞像素。與有機LED(OLED)和液晶顯示(LCD)相比,這些高效的LED直接發(fā)射功耗更低,卻可以為移動顯示器、電視和可穿戴式計算機提供優(yōu)異的亮度和對比度。Micro-LED 的制造要求優(yōu)質、均勻的外延晶圓,以滿足顯示屏的產量和成本控制的要求。

“和競爭對手的MOCVD平臺相比, Veeco的TurboDisc技術提供的制程窗口更大,因此Propel能提一流的均勻性同時還能獲得優(yōu)良的膜品質,”維易科高級副總裁兼MOCVD運營總經理Peo Hansson博士這樣說。

“將Veeco領先的MOCVD專業(yè)技術和 ALLOS的硅基氮化鎵外延晶片技術相結合,使我們客戶能夠開發(fā)出低成本的micro-LED,以便于在新的市場中開拓新的應用。”

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