《電子技術應用》
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基于FPGA的DDR3六通道讀寫防沖突設計
2018年電子技術應用第7期
張鳳麒,張延彬,王忠勇
鄭州大學 產(chǎn)業(yè)技術研究院,河南 鄭州450000
摘要: 為了解決期貨行情數(shù)據(jù)加速處理中多個通道同時訪問DDR3時出現(xiàn)的數(shù)據(jù)讀寫沖突問題,實現(xiàn)了一種基于FPGA的DDR3六通道讀寫防沖突設計,完成了對單片DDR3內(nèi)存條的多通道實時訪問控制需求。通過ChipScope工具采樣結(jié)果證明了設計的可行性,提高了并行處理的速度,極大程度地降低了期貨行情數(shù)據(jù)處理中行情計算的時間開銷,最高通道速率可達5.0 GB/s以上,帶寬利用率可達80%以上,在多通道數(shù)據(jù)讀寫應用中具有很高的實用價值。
關鍵詞: 多通道 防沖突 DDR3 FPGA
中圖分類號: TP334.4
文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.175167
中文引用格式: 張鳳麒,張延彬,王忠勇. 基于FPGA的DDR3六通道讀寫防沖突設計[J].電子技術應用,2018,44(7):68-71,80.
英文引用格式: Zhang Fengqi,Zhang Yanbin,Wang Zhongyong. Anti-conflict design for reading and writing of DDR3 six channels based on FPGA[J]. Application of Electronic Technique,2018,44(7):68-71,80.
Anti-conflict design for reading and writing of DDR3 six channels based on FPGA
Zhang Fengqi,Zhang Yanbin,Wang Zhongyong
Industrial Technology Research Institute,Zhengzhou University,Zhengzhou 450000,China
Abstract: In order to solve the problem of data conflict of reading and writing when multiple channels access DDR3 at the same time in the acceleration processing of futures market data, an anti-conflict design for reading and writing of DDR3 six channels based on FPGA is implemented and the requirement of multiple channels′ real-time access control for monolithic DDR3 memory bar is completed. The result of ChipScope sampling proves the feasibility of the design, it improves the parallel processing speed and reduces the prices of time overhead in the calculation of futures market data processing. The highest channel rate can reach more than 5.0 GB/s and the bandwidth utilization rate can reach more than 80%. The design has a very high practical value in the application of multiple channels′ reading and writing.
Key words : multiple channels;anti-conflict;DDR3;FPGA

0 引言

    基于FPGA的期貨行情數(shù)據(jù)加速處理過程中,不同的消息類型采用并行處理的方式,并且每一次的處理結(jié)果需要使用內(nèi)存來緩存一次行情數(shù)據(jù)信息。行情數(shù)據(jù)信息容量巨大,片上存儲難以滿足需求,采用DDR3 SDRAM成為首選方法[1]。但由于DDR3只有一套數(shù)據(jù)訪問通道,不能滿足多個通道同時訪問的需求[2]。此前的對于SDRAM的多通道解決方案中,比如曹一江[3]等設計的基于NPI總線的片外存儲器,最大帶寬可達743 Mb/s;樊博[4]等使用UI接口,DDR3通信的最大帶寬可達3.8 Gb/s;張宇嘉[5]等設計的基于AXI4的DDR3多端口方案雖然傳輸速率有所提高,但由于AXI4協(xié)議本身的復雜性增加了開發(fā)使用的難度。本文實現(xiàn)并驗證了期貨行情數(shù)據(jù)加速處理中基于FPGA的DDR3六通道UI接口讀寫防沖突設計,簡化了DDR3多通道讀寫的復雜度,隨著有效數(shù)據(jù)周期的提升,最高端口速率可達5.0 GB/s以上,帶寬利用率可達80%以上。

1 總體設計架構(gòu)

    本文所設計的六通道讀寫防沖突總體架構(gòu)如圖1所示,主要包括通道判優(yōu)仲裁模塊、讀寫邏輯控制模塊和DDR3存儲器控制模塊。

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    DDR3存儲控制器模塊采用Xilinx公司的MIG核,用戶只需要通過IP核的GUI選擇內(nèi)存芯片并進行相關參數(shù)設置,即可完成DDR3的配置工作[6]

    通道判優(yōu)仲裁模塊將對六路通道進行仲裁,對于同一時刻有讀寫請求的不同通道,該模塊按照優(yōu)先級的高低判定訪問DDR3的順序,利用中斷思想解決多通道讀寫的沖突問題。

    讀寫邏輯控制模塊控制DDR3的接口生成,根據(jù)不同操作完成對應接口的時序控制[7],進而實現(xiàn)對DDR3的正確讀寫訪問。

2 DDR3存儲器控制模塊設計

    DDR3 IP核生成的控制器邏輯框圖如圖2所示,采用UI接口的方式相比于AXI4接口,不需要自己組織數(shù)據(jù),容易操作,大大簡化了DDR3的使用復雜度,為DDR3的擴展使用帶來了方便[8]

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2.1 存儲控制模塊寫操作

    DDR3寫操作接口信號如表1所示。

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    寫操作過程:當app_rdy和app_wdf_rdy同時為高的情況下,寫入DDR3的地址app_addr與app_cmd綁定對齊,寫入DDR3的數(shù)據(jù)app_wdf_data與數(shù)據(jù)掩碼app_wdf_mask綁定對齊,app_cmd置為3′b000,與此同時app_en、app_wdf_wren、app_wdf_end置高,即可將數(shù)據(jù)寫到對應的地址中。

    因為DDR3的寫時序不只一種,為了簡化系統(tǒng)設計,本文設計的用戶接口寫操作時序為地址和數(shù)據(jù)完全對齊,便于理解和操作[9]

2.2 存儲控制模塊讀操作

    DDR3的讀操作接口信號如表2所示。

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    讀操作過程:在app_rdy為高時,用戶發(fā)送讀命令并同時將app_en置高,則讀命令和讀地址會寫到DDR3中,DDR3會返回數(shù)據(jù)和有效指示信號,兩者共同決定返回的數(shù)據(jù)是否有效。

    通常情況下,DDR3的讀請求結(jié)束之后不會馬上返回數(shù)據(jù),需要延遲一定的時鐘周期。

3 通道判優(yōu)仲裁模塊設計

    通常情況下,由于DDR3只有一組控制、地址和數(shù)據(jù)總線,因此同一時刻只能有一個通道在訪問。根據(jù)期貨交易的處理規(guī)則,優(yōu)先級由高到低的順序依次為合約信息消息、市場狀態(tài)消息、品種交易狀態(tài)消息、成交統(tǒng)計行情消息、多檔定單簿行情消息、多檔成交量統(tǒng)計行情消息。在通道判優(yōu)的過程中,首先將6種不同的消息經(jīng)封裝后分別寄存到相應的消息緩存中,每一通道寫入消息緩存中的數(shù)據(jù)格式,從高到低位依次為寫使能、讀使能、寫數(shù)據(jù)、寫地址、讀地址;然后首先判斷合約信息消息緩存是否為空,如果不為空,則證明當前有合約信息消息的請求發(fā)生,此時狀態(tài)機會跳轉(zhuǎn)到合約信息消息處理狀態(tài);待合約信息消息的緩存全部讀取完畢之后,再次按優(yōu)先級順序判斷其他消息緩存是否為空,狀態(tài)機隨即做相應的跳轉(zhuǎn),完成不同通道之間的切換,如圖3所示。

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    對于不同的消息類型,對應著不同的消息處理單元,目的是增加系統(tǒng)的并行處理操作,降低處理延遲。

4 讀寫邏輯控制模塊

    讀寫邏輯控制模塊主要對不同類型消息做并行化處理,生成DDR3的接口信號,每個消息的處理流程如圖4所示。

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    對于期貨交易中的各種合約行情,種類多,但占用空間小,通常DDR3中一個地址就可完成一個行情的存儲,在行情的還原、計算、發(fā)布中,需要讀取多個行情。由于DDR3的突發(fā)長度為8,為了便于對行情的準確存取,6個通道的數(shù)據(jù)位寬均設定為DDR3位寬的1/8,即一次只存取一個地址的數(shù)據(jù)。

    對于通道判優(yōu)仲裁模塊輸出的數(shù)據(jù),寫使能與讀使能均為1 bit位寬,高電平表示請求發(fā)生;寫數(shù)據(jù)為64 bit位寬;寫地址和讀地址為28 bit位寬,DDR3的數(shù)據(jù)位寬在IP核中配置為512 bit,地址位寬為28 bit。因?qū)憯?shù)據(jù)位寬與DDR3數(shù)據(jù)位寬不匹配,所以DDR3的寫操作需要掩碼配合共同完成。

    處理過程如下:首先進行讀寫判斷,若寫使能置高,則跳轉(zhuǎn)到寫操作狀態(tài);若讀使能置高,則跳轉(zhuǎn)到讀操作狀態(tài),若無讀寫操作,處于等待狀態(tài)。(期貨行情消息處理中不會出現(xiàn)同一通道讀寫同時進行的情況,因此同一通道讀寫使能同為高電平的情況不會出現(xiàn)。)

    如果是寫操作,一方面生成寫入DDR3的地址和命令,另一方面將寫數(shù)據(jù)封裝成512 bit位寬。其中寫入DDR3的地址app_addr為{寫地址[27:3],3′d0},寫入的數(shù)據(jù)app_wdf_data和掩碼app_wdf_mask由寫地址[2:0]確定。數(shù)據(jù)地址命令控制模塊也會相應的產(chǎn)生app_en、app_wdf_wren、app_wdf_end控制信號,這些信號共同作用關于DDR3 SDRAM存儲器,配合完成DDR3的寫入操作,如圖5所示。

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    如果是讀操作,地址命令選擇模塊將讀地址[27:3]賦值給app_addr作為寫入DDR3的基地址,同時將讀地址[2:0]作為寫入DDR3的偏移地址存入對應通道的偏移地址緩存中,在數(shù)據(jù)地址命令控制模塊生成其他的控制信號傳送給DDR3 SDRAM存儲器。DDR3 SDRAM根據(jù)地址返回相應的512 bit位寬的數(shù)據(jù)。在返回數(shù)據(jù)的同時讀取對應通道偏移地址緩存中的偏移地址,并根據(jù)此偏移提取對應的64 bit數(shù)據(jù)從而完成DDR3的一次讀取操作,如圖6所示。

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5 實驗結(jié)果與分析

5.1 實驗結(jié)果

    本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K325T FPGA芯片和Micron公司的JBF9C256x72AKZ DDR3芯片為硬件平臺,并以此來驗證本文設計的正確性,分析其性能。

    測試方法:六通道在同一時刻發(fā)起DDR3的讀寫請求,其中1~4通道進行DDR3的寫請求,5、6通道進行DDR3的讀請求,狀態(tài)機按照消息優(yōu)先級的順序依次進行狀態(tài)跳轉(zhuǎn)完成處理,最后將數(shù)據(jù)分別返回到相應通道中,ChipScope結(jié)果如圖7所示。

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5.2 實驗分析

    為了更好描述設計的性能,本文引入以下參數(shù)。仲裁時間:請求信號發(fā)生到通道開始處理的時間間隔;IP核處理時間:DDR3 IP核從接收指令到返回數(shù)據(jù)的時間;有效提取時間:從512 bit的DDR3返回數(shù)據(jù)中提取對應的64 bit的時間間隔;有效數(shù)據(jù)時間:數(shù)據(jù)有效的維持時間;總時間:消息請求到數(shù)據(jù)返回的時間,即仲裁時間、IP核處理時間與有效數(shù)據(jù)時間之和。因此:

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    在本設計中,實測仲裁時間為3個時鐘周期,IP核處理時間為22個時鐘周期,有效提取時間2個時鐘周期,如圖8所示。

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    每個通道的有效數(shù)據(jù)時間不相同,性能也不相同,具體測試結(jié)果如表3所示。

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    測試結(jié)果表明,本設計能穩(wěn)定高效地完成多通道對DDR3的訪問,隨著有效數(shù)據(jù)周期的提升,通道速率可達5 GB/s以上,帶寬利用率可達80%以上,能夠滿足期貨行情數(shù)據(jù)處理過程中的實時性要求。

6 結(jié)論

    本文設計并實現(xiàn)了基于FPGA的DDR3六通道讀寫防沖突設計,能有效地解決在期貨行情數(shù)據(jù)處理中多通道同時訪問DDR3的沖突問題,在現(xiàn)有的Kintex-7系列FPGA平臺期貨行情數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中取得了良好的應用效果。測試結(jié)果表明該防沖突設計能高效正確地完成多通道對DDR3的訪問,具有穩(wěn)定性好、仲裁時間固定、效率高等特點。本文設計的DDR3多通道讀寫防沖突設計簡化了多通道讀寫DDR3的復雜度,降低了在期貨行情數(shù)據(jù)處理過程中的延遲,提高了并行處理速度。

參考文獻

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[7] 宋明,趙英瀟,林錢強.基于FPGA的DDR3 SDRAM控制器的設計與優(yōu)化[J].電子科技,2016,29(11):47-50.

[8] 姜文博,陳維蛇,司蓉蓉.Xilinx系列FPGA對DDR3的訪問接口設計[J].通訊世界,2016,15(5):243-247.

[9] 潘一飛,余海.基于FPGA的DDR3用戶接口設計[J].電子制作,2013,24(15):9-13.



作者信息:

張鳳麒,張延彬,王忠勇

(鄭州大學 產(chǎn)業(yè)技術研究院,河南 鄭州450000)

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