《中國制造2025》的報告里面提出要求，到2020年中國芯片自給率要達到40%，2025年要達到50%，“十三五”以來，隨著中國制造2025、互聯(lián)網(wǎng)+等國家戰(zhàn)略出臺和新一代信息技術迅猛發(fā)展，我國光電子器件產業(yè)也迎來了重大發(fā)展機遇，但相關基礎研發(fā)薄弱、產業(yè)創(chuàng)新能力不強、產業(yè)鏈發(fā)展不均衡情況依然存在，核心高端光電子器件（例如激光芯片）水平相對滯后已成為制約產業(yè)發(fā)展的瓶頸。
近日，作為國內極少數(shù)專注于大功率半導體激光芯片研發(fā)和生產的深圳瑞波光電子有限公司剛剛完成由賽富基金與深創(chuàng)投共同領投，北京協(xié)同創(chuàng)新京福投資基金跟投的6500萬元A輪融資。
這也是瑞波光電繼2012年天使輪之后完成的第一輪融資，本輪明星級VC共同入場也標志著激光芯片領域已成為資本高度關注的領域之一，而瑞波光電無疑已成為在該領域頗具代表性的新創(chuàng)企業(yè)。
據(jù)了解，深圳瑞波光電子有限公司成立于2011年，是由深圳清華大學研究院、海內外技術專家共同創(chuàng)辦的從事高端半導體激光器芯片研發(fā)和生產的高科技企業(yè)，擁有從半導體激光芯片外延設計、材料、制造工藝，到芯片封裝、表征測試等全套核心技術，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導體激光芯片，封裝模塊及測試表征設備，并可提供研發(fā)咨詢服務。
大功率激光芯片的技術門檻極高，瑞波光電經(jīng)過5年的專注研發(fā)才解決了芯片的良率和可靠性難題，并于2016年底成功量產，目前公司量產的芯片產品形式包括單管芯片（single-emitter） 和bar條，功率從瓦級到數(shù)百瓦級，波長覆蓋可見光到近紅外波段，波長包含635nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1470nm/1550nm等，輸出功率均達到國內領先水平，可代替進口高端激光芯片；封裝產品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount）和CCP等；
瑞波光電另一大優(yōu)勢是自主研發(fā)了多款半導體激光表征測試設備，種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機、Full-bar 綜合性能測試機、COS綜合性能測試機、半導體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機、大功率半導體激光芯片器件老化/壽命測試機等，這些設備對瑞波光電提升產品性能，保障可靠性和壽命方面起到非常重要的作用。目前除了瑞波自己產線應用外，瑞波光電開始面向下游客戶以及同行開始銷售，大大提升了整個行業(yè)的技術和測試水平，為行業(yè)的發(fā)展貢獻了自己的一份力量。
目前瑞波光電的產品廣泛應用于工業(yè)加工、光通信、醫(yī)療美容、激光顯示、激光測距雷達、科研國防等領域。公司的發(fā)展目標是填補中國在大功率半導體激光器芯片領域的空白，成為世界一流的半導體激光器供應商，為我國現(xiàn)代化生產和科學研究做出貢獻。
目前瑞波光電的產品在市場上處于供不應求的局面，產能遠遠不足滿足市場的需求，本次A輪融資將主要用于擴充產能和新產品的研制和開發(fā)。
作為瑞波光電本輪的領投方，賽富基金和深創(chuàng)投肯定了瑞波光電在行業(yè)里的貢獻與價值。其合伙人認為，從投資策略來看，投資機構重點關注高技術門檻、高成長性、并有望成長為所在行業(yè)頭部企業(yè)的項目。瑞波光電擁有自主開發(fā)的大功率半導體激光芯片核心技術和工藝，打破了國內大功率激光芯片絕大部分依賴進口的現(xiàn)狀，存量市場具有巨大的進口替換機會；未來的智能制造、激光雷達、3D傳感、激光顯示、生物醫(yī)療等新應用勢必催生對激光芯片新的需求，，我們對瑞波光電的發(fā)展空間很有信心。
瑞波光電CEO胡海博士指出，智能制造、激光雷達、消費光子和激光醫(yī)療是瑞波光電未來重點關注的應用市場。他認為，這些新興應用市場將對大功率激光芯片提出更高的要求，瑞波獨有的工藝、專利以及測試技術將成為核心競爭力。應用客戶在關注產品性能和可靠性的同時，也對訂單交付、定制化服務提出更多要求。胡海也指出，本輪融資將大大提升瑞波現(xiàn)有產能，增強訂單交付能力，同時也會有效增強瑞波研發(fā)資源和力量。
在談及未來企業(yè)的發(fā)展規(guī)劃時，胡海表示，瑞波光電三年內將完成產能持續(xù)倍增計劃，開發(fā)國內外的經(jīng)銷網(wǎng)絡。同時也透露瑞波光電將持續(xù)投入IT系統(tǒng)建設和人才方面的建設；在研發(fā)方面，每年將不低于20%的預算用于新產品開發(fā)，將瑞波光電打造成為全球領先的大功率半導體激光芯片專業(yè)制造商。