格芯（Globalfoundries）成立于2009年3月2日，由AMD拆分晶圓制造廠和與阿聯酋阿布扎比先進技術投資公司(ATIC)旗下穆巴達拉發展公司(Mubadala)聯合成立的半導體制造企業。2009年ATIC收購特許半導體，與格芯合并經營。目前是全球第二大晶圓代工公司。

2018年，對于不足10歲的格芯來說，有點流年不利的感覺。

先是3月9日，Sanjay Jha宣布辭去首席執行官（CEO），原高級副總裁和FAB8總經理Thomas Caulfield接任首席執行官。

這已經是格芯10年來的第四任首席執行官。

回歸原點

格芯第一任首席執行官是Douglas Grose（2009年3月2日--2011年6月），Douglas是原AMD主管技術、制造和供應鏈有高級副總裁。

Douglas于1968讀于全美頂尖理工大學，倫斯勒理工大學（Rensselaer Polytechnic Institute），1972年獲得材料工程理學學士學位；1975年-1980年在該校獲得材料工程博士學位；并在1977年-1980年獲得工商管理碩士學位。

Douglas畢業后就到IBM工作，一干就是20多年，并在多個崗位獲得出色業績，如紐約的East Fishkill和佛蒙特州的Burlington，這里是IBM的晶圓制造基地；2003年1月至2004年8月短暫離開IBM，擔任日立全球存儲技術公司的首席運營官，又到NanoTech擔任執行副總裁兼首席運營官（COO）；2004年9月回到IBM紐約的East Fishkill基地，擔任技術開發與制造總經理；2006年11月加盟AMD，擔任技術、制造和供應鏈有高級副總裁。

事實上，Douglas在加盟AMD之前，其工作經歷都和IBM有關，其在IBM工作時間超過23年。后來不管是日立全球存儲，還是NanoTech，也都和IBM有關，日立全球存儲是日立和IBM合資的硬盤業務公司，NanoTech是作為IBM研發合作單位。

30年的半導體工作經驗，加上多年的運營官思維，在Douglas任職期間，格芯的策略非常明確，就是擴大營收，超越聯電，成為全球第二大晶圓代工公司。于是一方面，他游說投資方收購，比如2009年9月宣布收購特許半導體，2010年1月完成收購，與格芯合并運營；一方面加大投資力度，比對手更快速、更廣泛地地部署新工藝，2010年公司的投入約27.5億美元，2011年54億美元，一方面用于建設紐約州的新工廠，同時擴充已有工廠的產能。

2011年3月，格芯收購AMD持有的股份，變成一家獨立的代工公司。Douglas離職的主要原因是32nm 工藝進展比較緩慢，迫使格芯不得不與AMD簽署新的晶圓采購合同，使得后者只需要為成品芯片掏錢，而不用給整個晶圓買單。而且也失去了AMD這個第一大客戶。

格芯第二任首席執行官是Ajit Manocha（2011年10月30日--2013年12月），不過他從2011年6月就擔任格芯臨時首席執行官。

Ajit Manocha是一位經驗豐富的半導體專家，在半導體行業超過30年，曾在飛索（Spansion）、恩智浦（NXP）、飛利浦半導體（Philips）、AT&T微電子和AT&T貝爾實驗室擔任多個高級管理和管理職位。在出任格芯首席執行官前，他擔任Spansion全球運營執行副總裁；之前擔任恩智浦半導體執行副總裁兼首席制造官，負責領導全球IC制造，供應鏈管理和半導體部門采購；在飛利浦半導體公司，對公司的供應鏈進行了重大改進，并負責將制造業務引領至世界級的運營和財務業績；在AT&T微電子工作期間，負責開發新的合資企業和戰略聯盟，并在AT&T和Cirrus Logic的制造合資企業中擔任主管。他的職業生涯起步于AT&T貝爾實驗室。

格芯第三任首席執行官是Sanjay Jha（2014年1月7日--2018年3月）。

Sanjay Jha加入格芯前在摩托羅拉移動（Motorola Mobility）擔任董事長和CEO一職；更早前在高通（Qualcomm）擔任首席運營官和QCT的總裁。

格芯第四任首席執行官是Thomas Caulfield（2018年3月9日--）。

Thomas Caulfield曾在IBM工作16年，擔任各種高級領導職位，最終擔任IBM微電子部門的300mm半導體業務副總裁，領導其位于紐約East Fishkill的最先進的晶圓制造業務；后來加入Novellus Systems擔任執行副總裁，負責銷售，市場和客戶服務；后來在太陽能公司Ausra和第三代半導體公司Soraa擔任總裁兼首席運營官；2014年加入格芯，擔任GF的高級副總裁和Fab 8總經理，為全球客戶提供最先進的半導體制造技術平臺（包括28納米，20納米和14納米）支持。

格芯10年換了三任CEO，最后還是回歸IBM技術流派。Thomas Caulfield和格芯首任首席執行官Douglas在IBM至少有過一年的交集（2004年9月-2005年9月），當時兩人都在East Fishkill制造基地。Douglas當時擔任技術開發與制造總經理，而Thomas負責IBM當時最先進的晶圓制造業務。

格芯亂象

在過年的9年中，有三年的資本支出超過當年營收。2011年是格芯資本支出最高點，達到54億美元，是當年營收的1.69倍；其次是2014年的1.15倍，第三是2013年1.09倍。

9年來，格芯的總營收370億美元，而資本支出295億美元，占整體總營收的80%。

追求世界先進工藝是集成電路制造企業的“必修功課”，因為只有行業第一名，才有機會獲得更高的利潤率。巨大的研發投入、昂貴的設備和折舊費用對格芯來說，像滾雪球一般，越來越大，使它深陷財務泥潭，從2009年創建至今，公司所有者穆巴達拉投資已經接近300億美元，達295億美元，但公司的凈利潤始終是負數。 

從2011年到2017年，總計7年間，格芯共虧損69.4億美元，平均每年虧損近10億美元，2014年、2015年和2017年這三年是虧損最嚴重的，三年合計虧損超過40億美元。

作為投資者，穆巴達拉并不想投入更多的資金，投資者希望格芯止血并開始創造利潤。

實際上，Douglas Grose和Ajit Manocha的離職都和公司持續虧損有關。

Thomas Caulfield上任后不足半年，美國西部時間2018年8月27日格芯宣布，為支持公司戰略調整，將無限期擱置7nm FinFET項目，并調整相應研發團隊來支持強化的產品組合方案。由于戰略轉變，格芯將削減5%的人員，其他頂尖技術人員將被部署到14/12nm FinFET衍生產品和其他差異化產品的工作上，并與AMD和IBM重新談判其晶圓銷售價格(WSA)和IP相關交易。詳見《格芯：出于經濟原因，擱置7納米研發，轉向發力成熟工藝，搶食ASIC設計業務》。

格芯要依靠SOI走出困局

和FinFET一樣，FD-SOI也是胡正明教授提出來的。盡管胡正明教授認為，FinFET和FD-SOI技術是可以并存的，現在也確實如此。但相比FinFET技術的快速推進，FD-SOI技術真正是艱難前行。至于說FD-SOI與FinFET工藝的優劣，實在一言難盡。目前盡管FinFET占據絕對市場份額，但FD-SOI還有是有可取之處，讓產業界難說放棄。

我們看到FinFET和FD-SOI在產業界的受追捧程度不同，FinFET技術成為臺積電（TSMC）、三星（Samsung）、英特爾（Intel）、聯電（UMC）、格芯（GlobalFoundries）和中芯國際（SMIC）、華力微（HLMC）等主流廠商的選擇；而FD-SOI在晶圓廠中的接受度并不高，主推FD-SOI工藝的主要是IBM、意法半導體（STM）等公司，格芯（在收購IBM晶圓廠才開始）、三星剛開始提供FD-SOI代工服務，國內中芯國際、華虹集團旗下華力微也在開始嘗試FD-SOI工藝。

意法半導體（STM）和三星代工都是從28nm FD-SOI工藝起步，而格芯起步就是22nm FD-SOI工藝。

格羅方德在2015年7月收購IBM晶圓廠后，同年推出一種名為22FDX的22nm FD-SOI技術，其定位是能夠提供最佳性能/成本比。

據稱22FDX技術平臺的性能接近16nm/14nm FinFET，成本接近28nm bulk Silicon工藝。格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI工藝是技術發展過程中的差異化解決方案，也是當前格芯的戰略核心。Thomas Morgenstern表示，格芯22納米FD-SOI工藝簽約設計金額超過20億美元，目前已有全球50多家客戶，應用領域更是覆蓋物聯網、通信、工業、加密貨幣、汽車與國防軍工等不同方向。2017年2月，公司和Dream Chip Technologies發布了第一個商業產品ADAS芯片。目前公司22FDX主力生產廠位于歐洲德累斯頓的FAB1，但限于客戶數量有限，產能無法填滿。

根據公司技術發展藍圖（Roadmap），2016年，格芯半導體推出全新的12nm FD-SOI（12FDX）工藝平臺，計劃2018年第四季度或2019年第一季度開始投產。格芯表示，12FDX工藝的性能等同于10nm FinFET，但是功耗和成本低于16nm FinFET，相比現有FinFET工藝性能提升15%，功耗降低50%，掩膜成本比10nm FinFET減少40%。

成都格芯的未來在哪里

2017年2月10日，格芯在成都宣布，將在成都投資100億美元建設一條12寸晶圓代工線，格芯占股51%。12寸晶圓代工線分兩期建設，一期0.18/0.13um工藝，月產20000片，預估2018年投產；二期為22nm SOI工藝，月產65000片，2018年開始從德國FAB轉移，計劃2019年投產。

時間推進到2018年，格芯成都工廠陡起波瀾。據悉，格芯已經撕毀了之前的協議，不同意再興建0.18/0.13um工藝的工廠，要和成都政府談判，希望成都支持成都廠直接進入22FDX工藝。

據四川傳來的消息，目前已經運抵成都的0.18/0.13um工藝設備已經在出售中。看來格芯是鐵下心來不做0.18/0.13um工藝了。

關鍵是格芯要做FD-SOI，你的客戶在哪里？多年來，FD-SOI工藝的發展受限于生態系統不夠完善，在IP建設、量產經驗與應用推廣上還有很多工作需要去做。

格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI是當前格芯的戰略核心。盡管22FDX已經量產，盡管22FDX技術平臺的性能接近16nm/14nm FinFET，成本接近28nm bulk Silicon工藝，盡管22FDX有全球50多家客戶，盡管簽約設計金額超過20億美元，但限于量產客戶數量有限，FAB1的產能都無法填滿。

盡管格芯說22FDX在德國FAB1廠先驗證，成熟后轉移到成都廠大批量生產。可沒有客戶買單咋辦？

也許，格芯高層希望成都政府能夠給予更多支持？可成都政府又不是冤大頭，憑啥要給格芯買單呢？