SK海力士宣布成功開發(fā)1ynm 16Gb DDR5 DRAM，支持5200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，比上一代的3200Mbps快約60％，每秒可處理41.6GB數(shù)據(jù)或11個全高清視頻文件（每個3.7GB）。

　　SK海力士1ynm 16Gb DDR5 DRAM是滿足JEDEC標準的DDR5產(chǎn)品，并將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

　　之前SK海力士推出的8Gb DDR4 DRAM也是采用的1ynm工藝技術。隨著1ynm技術的擴大應用，將有助于提高SK海力士在業(yè)界的領先競爭優(yōu)勢。

　　與DDR4相比，DDR5具有超高速、高密度、低功耗等優(yōu)勢，適用于大數(shù)據(jù)、人工智能和機器學習等數(shù)據(jù)密集型應用。SK海力士成功將DDR5工作電壓從1.2V降至1.1V，與上一代DDR4 DRAM相比，功耗降低30%。

　　DDR5整體效能都比前一代提升不少，電力方面是將DDR4的運轉電壓從1.2V降低到1.1V，讓耗電量與前一代相比減少30%。數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了1.6倍，從前一代的3200Mbps提高至5200Mbps。若實際舉例，DDR5只用1秒就能處理11部3.7GB大的Full HD電影，相當于41.6GB的數(shù)據(jù)。

　　同時存儲數(shù)據(jù)的存儲單元（Cell）領域的單位管理區(qū)域（bank），也從16個擴大到32個，意味著能夠一次性處理的數(shù)據(jù)量，從8個增加到了16個。另外，SK海力士也期待透過芯片內置的糾錯回路（Error Correcting Code），能大幅提升高用量系統(tǒng)的信賴度。

　　值得注意的是，為了確保DDR5的高效能，運用了許多新技術，其中包含能把D-RAM的讀取、寫入的回路，調節(jié)為最佳狀態(tài)的高速訓練技術（high speed training scheme）、去除傳送時出現(xiàn)雜音的DFE、并列處理命令或數(shù)據(jù)的4Page Clocking 、最小化讀取數(shù)據(jù)時的扭曲或雜音情況，以及能夠創(chuàng)造低雜音、高性能的新款DDL與DCC等。

　　早在今年5月，Cadence就展示了首款DDR5內存驗證模組，DRAM來自美光，接口層自研，采用臺積電7nm工藝，數(shù)據(jù)率可達4400MT/s，也就是頻率高達4400MHz。

　　按照進度，JEDEC有望年底公布DDR5最終規(guī)范，預計起步頻率4800MHz，最高可達6400MHz。此外，還將對電壓、總線效率等進行改善。

　　除了SK海力士，三星在7月份宣布成功開發(fā)出10nm級8Gb LPDDR5 DRAM，主要應用于移動設備、如手機平板、二合一電腦等。美光也規(guī)劃其16Gb DDR5芯片將在2019年底量產(chǎn)，并基于18nm以下工藝。隨著人工智能等技術的發(fā)展，業(yè)界預計從2020年開始，市場對DDR5芯片的需求將不斷的增加，2023年將主導市場。