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三片晶圓堆疊技術研發成功 后摩爾定律再進一步

2018-12-04

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  武漢新芯集成電路制造有限公司,一家領先的半導體研發與制造企業,宣布基于其三維集成技術平臺的三片晶圓堆疊技術研發成功。

  武漢新芯的晶圓級集成技術可將三片不同功能的晶圓(如邏輯、存儲和傳感器等)垂直鍵合,在不同晶圓金屬層之間實現電性互連。與傳統的2.5D芯片堆疊相比,晶圓級的三維集成技術能同時增加帶寬,降低延時,帶來更高的性能與更低的功耗。

  晶圓級的三維集成技術為后摩爾時代芯片的設計和制造提供了新的解決方案,在對帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的人工智能和物聯網領域擁有頗為廣泛的應用前景。

  后摩爾定律更近一步

  武漢新芯技術副總裁孫鵬表示,三維集成技術是武漢新芯繼NOR閃存、MCU之外的第三大技術平臺。武漢新芯在三維集成技術方面已積累了6年的大規模量產經驗,2013年就成功將其應用于背照式影像傳感器,良率高達99%,隨后陸續推出硅通孔堆疊技術、混合鍵合技術和多片晶圓堆疊技術。隨著這一技術的突破,武漢新芯三維集成技術可以說居于國際先進、國內領先水平,從而更能全面提供工藝先進、設計靈活的晶圓級集成代工方案。

  業界知名專家莫大康也認為,三片堆疊是新的技術,可將存儲、邏輯、傳感器于一體,能縮小尺寸,提高功能,表明可向后摩爾定律前進一步,這是技術方面的重大進步。

  而且,武漢新芯這一技術橫跨了3D NAND、BSI、嵌入式存儲等多個領域,這對帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的AI和物聯網領域擁有頗為廣泛的應用前景。武漢新芯作為長江存儲全資子公司,也將為長江存儲封裝技術的發展提供有力保障。

  當然,三維芯片堆疊技術仍要在良率提升、功耗降低、芯片的制造和測試成本增加層面都還要著力解決相應的挑戰。

  應用已在提速

  如今,三維芯片堆疊技術在一些設備中已經有統領性的運用,比如Apple?Watch就由最先進的三維堆疊式芯片封裝之一驅動,如果沒有采用芯片堆疊技術,該手表的設計就無法做得如此緊湊。?

  有報道稱,英偉達硬件工程高級副總裁布萊恩·凱萊赫曾表示,英偉達針對AI打造的Volta微處理器的運作也運用3D堆疊技術。通過直接在GPU上面堆疊八層的高頻寬存儲器,這些芯片在處理效率上創造了新的記錄。

  而芯片堆疊也帶來了一些全新的功能。有的手機攝像頭將圖像傳感器直接疊加在圖像處理芯片上,額外的速度意味著它們能夠對照片進行多次曝光,并將其融合在一起,在昏暗的場景里捕捉到更多的光線。去年三星研發了全新的三層堆棧式傳感器,每秒可拍攝多達1000張照片,幾乎達到了專業攝影機的水準。在現有大部分CMOS傳感器都只有兩層的基礎上額外加入DRAM,成為實現超高速拍攝的關鍵。這一技術也將為傳感器技術的升級換代帶來全新的張力。

  由此可見,三維芯片堆疊技術的應用市場空間廣闊,這一擴維的思想亦將成一大趨勢和必然。


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