存儲級內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢必會取而代之。

存儲級內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會取代閃存成為首選的高速存儲介質(zhì)。

這是HPE旗下3PAR存儲部門副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone的預測。不過他補充道，這需要借以一段時日。

他說：“這不會在一夜之間發(fā)生。SCM變得經(jīng)濟上可行只是時間問題，但最終會取而代之。大概10年后吧。”

就每字節(jié)成本而言，SCM比閃存貴四倍左右。目前只有兩家供應商生產(chǎn)SCM：英特爾和三星。英特爾以Optane品牌來銷售，面向企業(yè)客戶，英特爾的Optane HPE將其用于其存儲陣列。

三星的產(chǎn)品名為Z-SSD，現(xiàn)在專注于消費者，計劃今年晚些時候向OEM廠商提供樣品。據(jù)說東芝和西部數(shù)據(jù)也在開發(fā)各自的SCM產(chǎn)品。

除了取代NAND閃存外，Iannaccone還認為SCM使用的NVMe協(xié)議將取代目前存儲陣列中使用的SCSI/SAS接口。他說：“實際上，NVMe是一種與內(nèi)存進行聯(lián)系的極為精簡的方式。存儲級內(nèi)存工作起來更像延遲更低的內(nèi)存。”

由于閃存的固有設計，存儲級內(nèi)存的延遲要低得多。閃存存在性能問題和延遲的最主要原因之一是，為了滿足新寫入而使用的垃圾收集。數(shù)據(jù)寫入到閃存驅(qū)動器時，它無法覆蓋舊信息。它必須將一個新的數(shù)據(jù)塊寫入到別處，以后等磁盤I/O處于呆滯時刪除舊文件。

這就是閃存這種存儲介質(zhì)的行為方式，由于你總是在之前的寫入后進行清理，這導致了不穩(wěn)定問題。

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

由于能夠覆蓋文件，寫入數(shù)據(jù)所花的時間要短得多，SCM是9ms，而NAND是90ms至100ms。此外，也不存在存儲介質(zhì)的不可預測性，因為沒有后臺進程在運行以優(yōu)化介質(zhì)。

英特爾出售的Optane有幾種格式參數(shù)。3PAR將其作為存儲陣列的PCI Express附加卡，而不是用在服務器中。它們充當存儲陣列SSD和服務器內(nèi)存之間的高速緩存。增加大約3TB的SCM后，3PAR在Oracle基準測試中實現(xiàn)性能提升了30%，對陣列來說價格提升了5%。

最終，Iannaccone認為SCM能夠從物理位置分解出來，充當多個存儲陣列和與帶有SCM內(nèi)存的陣列通訊的所有其他陣列的緩存。

他說：“SCM仍然相當昂貴，這就是為什么我們將它用作一層高速緩存和建立緩存的智能算法。”

隨著SCM的成本下降，成為一種更切實可行的閃存替代品，使用場合會更多樣化。對于大容量存儲而言，每GB字節(jié)成本很劃算，但它又擁有高性能，可以針對I/O優(yōu)化成本。