我們都知道，功率器件細分產品主要包括MOSFETs，功率模塊，整流橋，IGBT 等。據Yole Development統計和預測，17-21年功率器件市場規模CAGR 為5.39%，其中MOSFETs（5.23%），IGBT（9.02%），功率模塊（6.20%），二極管（2.8%），晶閘管（2.71%），整流橋（4.72%）。

　　MOSFETs 和IGBT是新能源汽車結構的主力軍，它們的發展程度可以說決定了新能源汽車技術未來的走勢。詳細的介紹一下這哥倆的本事：

　　首先普及一下半導體芯片知識：

　　如今，貿易戰當前的背景下，先進的半導體芯片得到了越來越多的重視。其實，半導體芯片在生活中的應用場景有很多，主要有：

　　邏輯半導體——應用于電腦和各種移動終端中的核心計算芯片；

　　存儲半導體——我們手機的RAM、ROM等；

　　功率半導體——廣泛應用于汽車、高鐵、電力行業的各種功率芯片，其中最著名非IGBT莫屬。

　　大紅大紫的IGBT

　　IGBT這個詞你可能從沒聽過，但它一直在我們身邊默默服務。小到微波爐、變頻空調、變頻冰箱，大到新能源汽車、高鐵，甚至航母的電磁彈射，IGBT都不可或缺。IGBT是能量變換和傳輸的核心零件。常見的強電只有50Hz交流電，變壓器只能改變它的電壓。有了IGBT這種開關，就可以通過電路設計和計算機控制，改變交流的頻率，或者把交流變直流。

　　IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT也廣泛應用在家用電器、相機和手機上。

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　　ST看到了IGBT技術的光明前景，欲打造一條幾乎覆蓋全產業鏈的產品線，里面不但有低壓場效應管（MOSFET），還有高壓絕緣電晶體（IGBT）等電源裝置。這也就意味著它們完全有能力直接并軌即將到來的混動和電動車市場，為制造商提供完整的設計解決方案。

　　隨著IGBT 模塊已在全球新能源汽車中得到非常廣泛應用，市場對于整車性能要求的迅速提高，汽車級大功率IGBT呈現出高電壓、高效率、高功率密度和高可靠性的發展趨勢。未來5年電動汽車的功率占比將會逐步提高，而IGBT和SiC MOSFET逆變器將共存數年。