新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布進一步擴展UF3C FAST產(chǎn)品系列，新增采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense分立封裝選項的1200V高性能SiC FET器件。新產(chǎn)品UF3C120150K4S具有150mΩ的典型導(dǎo)通電阻（RDS（on）），使4引腳FAST系列器件的總數(shù)達到6個，并將整個系列的導(dǎo)通電阻范圍從30mΩ一直延伸到最高至150mΩ。

　　UF3C120150K4S的最高工作溫度達175℃，具有出色的反向恢復(fù)、低柵極電荷和低固有電容。與標準的3引腳TO-247產(chǎn)品相比，具備ESD保護的HBM 2級TO-247-4L封裝可提供更快的開關(guān)速度和更清晰的柵極波形。 4引腳Kelvin封裝能夠避免柵極振鈴和誤觸發(fā)，這些通常需要限制開關(guān)速度以管理3引腳封裝的較大共源電感。UF3C120150K4S器件非常適用于電動汽車（EV）充電、光伏逆變器、開關(guān)模式電源、功率因數(shù)校正（PFC）模塊、電機驅(qū)動和感應(yīng)加熱（induction heating）等應(yīng)用。

　　UnitedSiC的新型UF3C FAST SiC系列現(xiàn)在共有13種器件，分別采用TO-247-3L和TO-247-4L封裝，具有1200V和650V選項。該產(chǎn)品系列基于高效的“共源共柵”配置，能夠以高功率密度封裝提供非常快速的開關(guān)，實現(xiàn)高功率器件解決方案。4端子Kelvin封裝可提供簡單的螺釘或夾具安裝，具有極低的結(jié)到殼（junction-to-case）熱阻，能夠充分利用SiC的高結(jié)溫能力。

　　UnitedSiC完整的UJ3C和UF3C SiC FET產(chǎn)品系列的獨特之處在于其真正的“直接替代”功能。設(shè)計人員可以通過用UnitedSiC FET替代現(xiàn)有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結(jié)器件，并能夠顯著提高系統(tǒng)性能，而無需改變柵極驅(qū)動電壓。