CEA-Leti和CEA-IRIG聯合開發了第一個在CMOS芯片上帶有量子點的量子集成電路，該芯片采用28nm FD-SOI工藝制造，集成了模擬和數字功能（多路復用器，緩沖器，信號放大器，振蕩器，電平轉換器等）。
這項研究還證明了CEA-Leti在FD-SOI技術中的低溫儀器方面的專有技術，還可以用于其他非硅量子設備，例如超導量子位。該論文的主要作者Lo?ckLe Guevel解釋說，量子集成電路是一種概念驗證電路，它將微電子基準測試和量子點結合在一起，并在有限的功率預算內在低于開爾文的溫度下工作。
量子硅器件使用了設計先進電路所需的所有元素，并且通過FD-SOI實現電路設計人員可以使用經典電子技術在IP模塊中嵌入式qubit陣列，以構建定制的大規模量子硅處理器。
這項研究還證明了CEA-Leti在FD-SOI技術中的低溫儀器方面的專有技術，還可以用于其他非硅量子設備，例如超導量子位。該論文的主要作者Lo?ckLe Guevel解釋說，量子集成電路是一種概念驗證電路，它將微電子基準測試和量子點結合在一起，并在有限的功率預算內在低于開爾文的溫度下工作。
量子硅器件使用了設計先進電路所需的所有元素，并且通過FD-SOI實現電路設計人員可以使用經典電子技術在IP模塊中嵌入式qubit陣列，以構建定制的大規模量子硅處理器。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：[email protected]。