3 月 16 日訊，格羅方德與 Everspin 兩家公司合作歷史悠久，從最早的 40nm 的量產(chǎn)工藝，然后擴(kuò)展到 28nm HKMG 和 22nm FD-SOI（22FDX）。

　　近日，雙方宣布已將聯(lián)合開發(fā)的自旋轉(zhuǎn)矩（STT-MRAM）器件的制造，擴(kuò)展至 12 nm FinFET 平臺（簡稱 12LP）。

　　格羅方德通過這項合作能夠利用已被廣泛采用的 12nm 工藝來生產(chǎn)單獨的 MRAM 芯片、或?qū)⒅度肫渌ㄟ^ 12LP 技術(shù)制造的產(chǎn)品。如今，格羅方德已能夠制造嵌入式的非容失性磁性隨機(jī)存儲器（eMRAM）。而 Everspin 單獨的 256 Mb 和 1 Gb MRAM 器件，亦可通過 40 nm 和 28 nm 工藝量產(chǎn)制造。

　　通過將 STT-MRAM 縮小至 12 nm 制程，有助于雙方進(jìn)一步拉低 1 Gb 芯片成本。以經(jīng)濟(jì)高效的方式，生產(chǎn)更高容量的設(shè)備。盡管現(xiàn)有的 MRAM 芯片無法提供巨大的容量，但其在特定領(lǐng)域的應(yīng)用仍相當(dāng)受歡迎。Everspin 表示，該公司已向超過 1000 個客戶出貨 1.25 億個單獨的 MRAM 芯片。

　　此外，引用該公司的一份報告：到 2029 年，單獨的 MRAM 器件銷售額將達(dá)到 40 億美元。隨著對大容量 MRAM 產(chǎn)品需求的不斷擴(kuò)展，未來還需要用到更先進(jìn)的工藝。格羅方德在其 12LP 平臺（包括 12LP+）中增加了對 eMRAM 的支持，可極大地提升該制程節(jié)點的競爭地位，尤其是未來幾年發(fā)布的主控 / 微控制器應(yīng)用領(lǐng)域。

　　比如，群聯(lián)（Phison）和華瀾微電子（Sage）即將推出的一些企業(yè)級 SSD 主控，就會采用 Everspin 的 eMRAM 方案，而不是單獨使用該器件。eMARM 有望取代當(dāng)前普遍采用的嵌入式閃存（eFlash），以克服 NAND 存在的耐久度和性能等問題。

　　作為一種磁性存儲元器件，MRAM 能夠感測由薄壁隔開的兩個鐵磁膜的各向異性。由于不使用電荷或電流，其能夠在現(xiàn)代制程節(jié)點的幫助下，實現(xiàn)更優(yōu)秀的性能和耐久度。盡管 eMRAM 仍有其局限性，但在其它技術(shù)出現(xiàn)之前，這種兼顧靜態(tài)（SRAM）和動態(tài)（DRAM）隨機(jī)存儲器特性的高度集成產(chǎn)品，仍然能夠在未來幾年內(nèi)被各個廠商欣然應(yīng)用于諸多設(shè)備。

　　格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司(Global Foundries)是一家總部位于美國加州硅谷桑尼維爾市的半導(dǎo)體晶圓代工廠商, 成立于 2009 年 3 月  。格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由 AMD 拆分而來、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。

　　Everspin 是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來的一家獨立公司。公司總部與晶圓廠均設(shè)于美國亞利桑那州錢德勒(Chandler)市。2006 年，Everspin 推出業(yè)界第一款商業(yè)化 MRAM 產(chǎn)品，同時是全球第一家量產(chǎn) MRAM 的供貨商。今日，Everspin 目前的產(chǎn)品組合中擁有廣泛的 MRAM 產(chǎn)品線，這些 MRAM 密度從 512kb 到 16Mb,并提供串行和并行運算方式，已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領(lǐng)域。