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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

2020-10-12
來源:與非網

  / 美通社 / -- SK 海力士(或‘公司’,www.skhynix.com)宣布推出全球首款 DDR5 DRAM。DDR5 是新一代 DRAM 標準,此次 SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 作為超高速、高容量產品,尤其適用于大數據、人工智能、機器學習等領域。

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  圖 1. SK 海力士推出 1y 納米級 DDR5 DRAM

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  圖 2. SK 海力士推出 1y 納米級 DDR5 DRAM

  SK 海力士于 2018 年 11 月成功開發全球首款 16Gb DDR5 DRAM 之后,向英特爾等核心客戶提供樣品,并完成了一系列測試與性能、兼容性驗證等程序。此番成果意味著 SK 海力士在即將到來的 DDR5 市場隨時能夠銷售相關產品。

  期間,SK 海力士與 SoC1)(System On Chip)開發公司等不同企業共同運營現場分析研究室,并通過共同執行系統級別測試(System Level Test)及各種模擬測試完成了新產品的性能驗證。與此同時,SK 海力士還與諸多公司緊密合作,進行了包括 RCD2)(Register Clock Driver)、PMIC3)(Power Management IC)等構成模組的主要部件的兼容性驗證。

  SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 的數據傳輸速率高達 4,800 ~ 5,600Mbps,其速率相較前一代 DDR4 最多提升了 1.8 倍。5,600Mbps 的傳輸速率意味著能夠在 1 秒內傳輸九部全高清(Full-HD, FHD)電影。不僅如此,該產品的動作電壓由前一代的 1.2V 降到了 1.1V,成功減少了 20%的功耗。

  SK 海力士 DDR5 DRAM 的另一個顯著特征是其芯片內置型錯誤糾正代碼(Error Correction Code, ECC);內置 ECC 能夠依靠自身功能修復 DRAM 單元(cell)單字節單位的錯誤。有助于該特性,采用 SK 海力士 DDR5 DRAM 的系統的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技術相結合,更能夠組成容量高達 256GB 的高容量模組。

  SK 海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環保的 DDR5 DRAM 將幫助數據中心降低其功耗及運營成本。

  英特爾數據平臺部門(Data Platforms Group)的 Carolyn Duran 副總裁(Vice President)表示:“為了樹立基于 JEDEC 標準的初期結構概念(early architecture concept)并完成 DDR5 標準規格的開發,英特爾與 SK 海力士維持了緊密的合作關系。雙方為了確保產品性能,進行了試制產品的設計、驗證;這意味著兩家公司已經做好了滿足客戶需求的準備。”

  吳鐘勛 SK 海力士副社長兼首席營銷官(Chief Marketing Officer, CMO)則表示:“SK 海力士成功推出世界首款 DDR5 DRAM,得以在 DRAM 市場占據未來技術優勢。我公司將重點瞄準快速成長的高端服務器市場,進一步鞏固在服務器 DRAM 領域擁有的領先地位。”

  固態技術協會(Joint Electron Device Engineering Council,JEDEC)于 2020 年 7 月正式發布了 DDR5 DRAM 的標準規格。

  而市場調研機構 Omdia 分析指出,對 DDR5 的市場需求將從 2020 年開始逐步顯現;其市占率將在 2022 年占整個 DRAM 市場的 10%,2024 年則將進一步擴大至 43%。

  新思科技(Synopsys),瑞薩(Renesas),瀾起科技(Montage Technology),Rambus 等企業也紛紛表示將為了打造 DDR5 生態圈而保持緊密合作關系。

  負責 IP 營銷與戰略的 John Koeter 新思科技高級副總裁指出:“通過與 SK 海力士的合作,新思科技將為需要超高速、高容量存儲器的高性能計算(High Performance Computing, HPC)SoC 提供高信賴度的 DDR5 解決方案。新思科技通過 SK 海力士的 DDR5 RDIMM 模組,在最大傳輸速率 6,400Mbps 的環境下完成了‘DesignWare DDR5/4 IP’的驗證,這意味著將設計者的風險最小化的同時,能夠實現數據密集型的高性能 SoC。”

  Rami Sethi 瑞薩副總裁兼數據中心業務部門(Data Center Business Division)總經理(General Manager)表示:“瑞薩在過去二十年作為倡導存儲器接口市場的企業,對與諸多合作公司及客戶建立的合作關系感到十分自豪。通過此番與 SK 海力士的緊密合作,瑞薩成功完成了涉及服務器、客戶、內置系統等諸多應用領域的 DDR5 DRAM 產品的驗證。”

  負責銷售與經營開發(Sales and Business Development)的 Geof Findley 瀾起科技副總裁則表示:“我們非常高興能夠與 SK 海力士為了打造 DDR5 存儲器生態圈而相互合作。瀾起科技在早期 DDR 存儲器萌芽之際就已經與 SK 海力士展開了合作關系,我公司承諾持續提供高性能、低能耗的存儲器接口解決方案。目前,瀾起科技能夠提供涵蓋不同領域的全方位 DRAM 模組接口產品,很高興能夠再次與 SK 海力士合作,為 DDR5 市場的加速發展添一份力。”

  Chien-Hsin Lee Rambus 副總裁兼集成電路部門(Integrated Circuits)總經理認為:“我們非常高興在實現下一代新技術等領域與 SK 海力士合作,進而為營造 DDR5 生態圈貢獻。我們相信,采用全新存儲器接口的 DDR5 DRAM 模組將幫助提升服務器性能,并滿足需要高容量、高帶寬存儲器的數據中心市場的需求。”

  注解

  SoC (System on Chip)

  又稱系統級芯片,指將與中央處理器(CPU)及系統 Bus 相結合的周邊電路裝置(存儲器控制器、PCIe Bus 等)集成至單一芯片的解決方案。

  RCD (Register Clock Driver)

  又稱寄存時鐘驅動芯片,是用于服務器 DRAM 模組(RDIMM、LRDIMM)的有源元件(active element),其功能是放大從存儲器控制器適用至存儲器的指令及數據信號,進而保障發射機(transmitter)與接收機(receiver)之間信號品質。

  PMIC (Power Management Integrated Circuit)

  又稱電源管理集成電路,指接收主電源輸出并為電子設備提供其所需的穩定、高效的電壓、電流的集成電路;PMIC 是在 DDR5 這一代被 DRAM 模組首次采用。


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