前言：

隨著全球制造業向中國的轉移，我國功率半導體市場占世界市場的50％以上，是全球最大的IGBT市場。

但IGBT產品嚴重依賴進口，在中高端領域更是90％以上的IGBT器件依賴進口，IGBT國產化需求已是刻不容緩。

全球IGBT市場終由歐美日韓把持

如英飛凌、三菱、富士電機、安森美以及ABB等企業，前五大企業的市場份額就已經超過了70％。

從整個牌面上來看，我們國內的IGBT企業只能吃“邊角料”了。

美國功率器件處于世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS和Vishay等廠商。

歐洲擁有Infineon、ST和NXP三家全球半導體大廠，產品線齊全，無論是功率IC還是功率分離器件都具有領先實力。

日本功率器件廠商主要有Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、FujiElectric等等。

近年來，中國臺灣的功率芯片市場發展較快，擁有立锜、富鼎先進、茂達、安茂、致新和沛亨等一批廠商。

十多年前，IGBT和如今的光刻機一樣，高端產品對中國都有銷售禁止。

國際IGBT巨頭規定，中國企業購買IGBT，只能用于變頻器行業，要買高端IGBT用來造新能源汽車，是絕對禁止的，國內企業只得走上一條自主研發的道路。

國產替代空間廣闊

在IGBT的增量空間中有一半以上需求都在中國，未來幾年我國的IGBT市場需求占比將從2019年不35％提升到2025年的50％或以上。

簡單測算中國2025年車載IGBT市場規模達22億美金，同時算個大數，屆時全球新能源車數量預計為國內的3倍，全球車載IGBT市場規模達66億美金，相當于再造一個IGBT市場。

到2020年全球IGBT單管市場空間達到60億美元左右，市場空間巨大。預計未來五年我國新能源汽車和充電樁市場將帶動200億元IGBT模塊的國內市場需求。

據BloombergNEF預測，預計2025年全球光伏新增裝機接近300GW，風電也比照光伏5年2．5倍左右的增長，則測算風電和光伏2025年對應IGBT的全球需求量級在12－15億美金。

同時國內的半導體功率企業相較于國外廠商往往具備成本與定制化的相對優勢，國內功率半導體行業具備較高的實現進口替代的可能性。

在供給端，自主可控是發展趨勢，同時國內的IGBT企業相較于國外廠商往往具備成本與定制化的相對優勢。

再加上國家政策及社會資本的加持，未來，實現IGBT國產替代仍具有較高可能性。

短期內軍用功率半導體領域的國產替代，長期民用新能源汽車IGBT想象空間巨大。在自身經營阻感容、分立器件等軍用元器件的基礎上，橫向收購后進入IGBT領域，與其自身的經營范圍高度重合。

長期看我國電動車發展長期向上趨勢不變，隨著新能源汽車廠競爭格局的確定，我國民用IGBT公司龍頭效應將凸顯。

技術差距縮小＋成本優勢凸顯成趨勢

從全產業鏈看，IGBT的前期資本開支大，中期制造良品率重要，后面市場開拓需要培育，壁壘極高。

量產經驗與裝車量方面，英飛凌等海外巨頭量產經驗豐富，國內市場比亞迪憑借自身品牌電動車穩定應用場景具備獨有優勢。

自第六代技術以后，各大廠商開始將精力轉移到IGBT封裝上。在IGBT封裝材料方面，日本在全球遙遙領先，德國和美國處于跟隨態勢，我國的材料科學則相對落后。

伴隨國內企業8寸晶圓產線先后投產，良率逐步提升，國產IGBT有望較此前采購英飛凌等巨頭晶圓價格大幅下降。

國內企業在IGBT布局進入加速模式

國內廠商發展具有自身優勢，從需求端講，中國功率半導體需求量世界第一；從供給端講，自主可控是發展趨勢。

今年4月底，比亞迪IGBT項目已在長沙開工建設，該項目建成后可年產25萬片8英寸新能源汽車電子芯，可滿足年裝車50萬輛的產能需求。

此外，其他廠商也在加快IGBT的產能建設，斯達半導新能源汽車用IGBT模塊擴產項目投產后可年產120萬個新能源汽車用IGBT模塊。

中車時代電氣已完成第一條投資10億元的IGBT生產線產能釋放，第二條投資35億元的生產線預計2020年底開始試生產，產值可達40－50億元。

華虹半導體7月31日宣布，其8＋12英寸大功率半導體產線將全面發力，積極承接IGBT代工業務。

賽晶電力電子一期產能將于2021年初建成投產，計劃不晚于2024年形成200萬件IGBT模塊產能。

華潤微發布的2020年半年度報告顯示，公司目前在研項目共13項，其中包括IGBT產品設計及工藝技術研發。

IGBT技術與壁壘成攻堅難點

IGBT制造難度大，具有極高的技術壁壘，中國功率半導體市場約占世界市場份額50％，但是中高端的MOSFET、IGBT主流器件市場基本被歐美、日本企業壟斷。

國內IGBT技術（芯片設計、晶圓制造、模塊封裝）目前均處于起步階段。國內IGBT企業在研發與制造工藝上與世界先進水平差距較大。

因此，行業內的后來者往往需要經歷一段較長的技術摸索和積累，才能和業內已經占據技術優勢的企業相抗衡。

高鐵、智能電網、新能源與高壓變頻器等領域所采用的IGBT模塊規格在6500V以上，技術壁壘較強；

而IGBT技術集成度高的特點又導致了較高的市場集中度，因此英飛凌、三菱和富士電機等國際廠商占有天然的市場優勢，這讓國內廠商的發展再失一個機會。

加上IGBT行業存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內企業在產業化的進程中始終進展緩慢。

IGBT模塊是下游產品中的關鍵部件，其性能表現、穩定性和可靠性對下游客戶來說至關重要，因此認證周期較長，替換成本高。

因此，新進入本行業者即使研發生產出IGBT產品，也需要耗費較長時間才能贏得客戶的認可。

國內產能無法實現供求平衡

但是相比于國內暴增的IGBT市場需求，國內IGBT市場的產量卻無法與之實現供求平衡。

除了供需無法平衡，現有產量無法滿足火熱的市場需求以外，技術也是國產IGBT的另一大硬傷。

隨著軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域的加速發展，國內IGBT需求迎來爆發，近幾年國內IGBT市場規模呈加速增長趨勢。

電動乘用車依據配置不同，IGBT單車價值量高達1000－5000元，2020年全球空間接近百億元，伴隨全球電動車產銷快速增長，預計行業2025年空間有望達370億，CAGR約＋30％。

新能源汽車補貼退坡，電驅企業與主機廠面臨降本壓力，國產IGBT價格優勢明顯。

面對IGBT需求大增，行業內公司產能擴大及時：比亞迪開放車規級IGBT產品閉環供應鏈，建設長沙比亞迪IGBT4．0工廠，以滿足公司外供IGBT的需求。

進口依賴短期難動搖

逆變器，變流器以及其它光伏、風電技術裝置均離不開IGBT器件，近年來，雖然光伏發電、風力發電邁向國際前沿，產業鏈整體國產化，但其核心功率器件IGBT仍是依賴進口，依存度達90％。

盡管后來變流器開始國產化，但核心器件IGBT仍是以進口為主，以德國、日本居多。

對于風電行業來講，國產IGBT發展需要一個培養期。不能等到國產產品成熟了，我們才開始使用它，否則不利于國產IGBT的成長。

結尾：

IGBT作為電動化核心部件，進入壁壘高，目前國產化率低，供應長期被歐美日企業壟斷。

隨著IGBT技術趨勢成熟，國內企業快速發展，已經逐步批量應用于電動車，長期有望逐步實現國產替代。

因為，獨立自主才是半導體產業發展的生存之道。