《電子技術(shù)應(yīng)用》
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什么是第三代半導(dǎo)體?一文看懂車(chē)用、通信、充電通吃的殺手級(jí)應(yīng)用

2021-04-14
來(lái)源:EETOP

  

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   ▲第三代半導(dǎo)體應(yīng)用商機(jī)起飛,通信、充電、車(chē)用三方通吃。

  第三代半導(dǎo)體是目前高科技領(lǐng)域最熱門(mén)的話題,不只中國(guó)大陸想要這個(gè)技術(shù),從歐洲、美國(guó)到中國(guó)臺(tái)灣,所有人都在快速結(jié)盟,想在這個(gè)機(jī)會(huì)里分一杯羹。為什么第三代半導(dǎo)體這么火熱?它的應(yīng)用與商機(jī)在哪里?

  過(guò)去30年,臺(tái)積電、聯(lián)電擅長(zhǎng)制造的邏輯IC,基本上都是以硅做為材料的。但硅也有一些弱點(diǎn),如果用門(mén)做比喻,用硅做的半導(dǎo)體,就像是用木頭做的木門(mén),輕輕一拉就能打開(kāi)(從絕緣變成導(dǎo)電)。

  而第2代或第3代化合物半導(dǎo)體就像是鐵門(mén),甚至金庫(kù)的大門(mén),需要很大的力氣,要施加大的電壓,才能讓半導(dǎo)體材料打開(kāi)大門(mén),讓電子通過(guò)。因此,要處理高電壓、射頻信號(hào),或是在信號(hào)的轉(zhuǎn)換速度上,第3代半導(dǎo)體都優(yōu)于傳統(tǒng)的硅。

  目前,坊間所稱(chēng)的第2代半導(dǎo)體,指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導(dǎo)體材料,「這是1980年代發(fā)展出來(lái)的技術(shù)。」而現(xiàn)在所稱(chēng)的第3代半導(dǎo)體,指的是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)這兩種材料,「這是2000年之后才開(kāi)始投入市場(chǎng)的新技術(shù)」。

  尤其,第3類(lèi)半導(dǎo)體并不好做,以通信芯片為例,要按照不同的通信需求,選擇不同的材料,在原子等級(jí)的尺度下精確排好,難度有如給你各種不同形狀的石頭,堆出一座穩(wěn)固的高塔,誰(shuí)能用這些材料,生產(chǎn)出更省電、性能更好的晶體管,就是這個(gè)市場(chǎng)的勝利者。

  目前,第3代半導(dǎo)體有3個(gè)主要應(yīng)用市場(chǎng)。

  應(yīng)用1:射頻通信如5G、衛(wèi)星通信

  第1,是將氮化鎵材料用來(lái)制作5G、射頻通信的材料(簡(jiǎn)稱(chēng)RF GaN)。過(guò)去20年,許多人想用成熟的硅制程,做出可以用在5G射頻通信上的零組件。

  最有名的是高通在2013年推出的RF 360計(jì)劃。當(dāng)時(shí),市場(chǎng)上的擔(dān)心,高通這項(xiàng)新技術(shù)推出之時(shí),就是生產(chǎn)通信用化合物半導(dǎo)體制造商的「死期」,穩(wěn)懋股價(jià)還曾因此重挫。

  結(jié)果,高通生產(chǎn)出來(lái)的硅芯片非常燙,完全沒(méi)辦法用在手機(jī)上;后來(lái),連高通都回頭跟穩(wěn)懋下單。業(yè)界人士觀察,通信會(huì)愈來(lái)愈往高頻發(fā)展,未來(lái)射頻通信芯片都是化合物半導(dǎo)體的天下,這個(gè)領(lǐng)域也是化合物半導(dǎo)體制造毛利率最高的部分,像穩(wěn)懋和宏捷科的毛利都在3~4成。

  

  應(yīng)用2:低電壓的電源供應(yīng)器

  第2個(gè)市場(chǎng),是用氮化鎵制造電源轉(zhuǎn)換器(簡(jiǎn)稱(chēng)Power GaN),這是目前最熱門(mén)的領(lǐng)域。過(guò)去生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品,最難的部分是取得碳化硅的基板,一片6吋的圓片,要價(jià)高達(dá)2800美元,而如今已經(jīng)完成了芯片刻錄(5納米)的12吋的硅晶圓,最貴的僅1600美元。

  但近幾年,市場(chǎng)上開(kāi)始出現(xiàn)將氮化鎵堆疊在硅基板上的技術(shù)(GaN on Si)。這種技術(shù)大幅降低化合物半導(dǎo)體的成本,用在生產(chǎn)處理數(shù)百伏特的電壓轉(zhuǎn)換,可以做到又小又省電。目前市面上已經(jīng)可以看到,原本便當(dāng)大小的筆電變壓器,已經(jīng)能做到只有餅干大小,OPPO、聯(lián)想等公司,更積極要把這種技術(shù)內(nèi)建在高端手機(jī)和筆記本電腦里。

  3月1日,野村證券發(fā)表題為「A GaN Changer」的產(chǎn)業(yè)報(bào)告,認(rèn)為未來(lái)2~3年,第3代半導(dǎo)體將重塑全球消費(fèi)性電源市場(chǎng),取代用硅制作的IGBT電源管理芯片。野村證券報(bào)告預(yù)估,2023年,這個(gè)市場(chǎng)產(chǎn)值每年將以6成以上速度成長(zhǎng)。第3代半導(dǎo)體能源轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到95%以上,一旦被大幅采用,「臺(tái)灣地區(qū)能省下一座核能電廠的電」。

  

  應(yīng)用3:高電壓的汽車(chē)電源

  第3個(gè)市場(chǎng)則是碳化硅供電芯片(SiC)。碳化硅材料的特殊之處在于,如果要轉(zhuǎn)換接近1000伏以上的高電壓,就只有碳化硅能做到這樣的要求;換句話說(shuō),如果要用在高鐵上,用在轉(zhuǎn)換風(fēng)力發(fā)電,或是推動(dòng)大型的電動(dòng)船、電動(dòng)車(chē),用碳化硅都能做得更有效率。

  第3代半導(dǎo)體是未來(lái)各國(guó)搶占電動(dòng)車(chē)、新能源,甚至國(guó)防、太空優(yōu)勢(shì),不能忽視的關(guān)鍵技術(shù),誰(shuí)在這個(gè)領(lǐng)域領(lǐng)先,誰(shuí)就能在這個(gè)領(lǐng)域勝出。

 

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