去年中國進(jìn)口集成電路金額超過3500億美元,其中約有25-30%左右為存儲芯片,主要就是NAND閃存和DRAM內(nèi)存,而主要供應(yīng)方為三星、SK海力士、美光、東芝、西部這些廠商。

而國產(chǎn)存儲芯片廠商,主要也有兩家,分別是長江存儲和長鑫存儲,長江存儲主攻NAND閃存,而長鑫存儲主攻DRAM內(nèi)存。

而現(xiàn)在,國產(chǎn)內(nèi)存有了新玩家了,那就是兆易創(chuàng)新。在6月3日,國產(chǎn)存儲芯片巨頭兆易創(chuàng)新宣布,其首款自有品牌4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列現(xiàn)已量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)從設(shè)計、流片,到封測、驗(yàn)證的全面國產(chǎn)化。

而兆易創(chuàng)新這次量產(chǎn)的DDR4芯片,工藝是19nm,與長鑫目前的19nm工藝基本是保持一致的,而預(yù)計接下來的工藝是17nm,大約在2021年底或2022年初實(shí)現(xiàn)。

那么目前三星、美光工藝是多少?由于在內(nèi)存領(lǐng)域,大家并不直接說多少納米工藝,是以1Xnm、1Ynm、1Znm、1αnm、1βnm、1γnm來替代的。

三星、美光對外表示的工藝是1αnm工藝,其實(shí)是14nm工藝,而長鑫存儲、兆易創(chuàng)新的19nm工藝,稱之為1Xnm,很明顯,相較于全球最牛的三星,已經(jīng)只有3nm的差距了,努力一把,說不定就要追上了。

為何兆易創(chuàng)新在內(nèi)存領(lǐng)域,這么容易就實(shí)現(xiàn)了0的突破,緣于兆易創(chuàng)新本來就是一家存儲芯片廠商,成立于2005年的兆易創(chuàng)新,這16年在存儲芯片領(lǐng)域,可是拿下了很多個第一名的。

比如成功研發(fā)了國內(nèi)第一顆SPI NOR Flash產(chǎn)品、第一顆靜態(tài)存儲器及IP技術(shù)、推出了國內(nèi)首款基于ARM Contex-M3內(nèi)核的32通用MCU產(chǎn)品。

此外,兆易創(chuàng)新還是全球排名第一的無晶圓廠NOR Flash供應(yīng)商,SPI NOR Flash領(lǐng)域市占率國內(nèi)第一、全球第三,有著深厚的積累,所以從NOR Flash領(lǐng)域,跨界到DRAM領(lǐng)域,也就顯得順理成章了。

不過要注意的是,兆易創(chuàng)新也是Fabless模式,即自己不生產(chǎn)芯片,只設(shè)計芯片,然后交給專業(yè)的芯片代工企業(yè)來生產(chǎn),之前兆易創(chuàng)新的訂單多是交給中芯國際,這次的DRAM是誰來生產(chǎn)的,暫時還不清楚。