近日，據天眼查顯示華為技術有限公司公開“半導體器件及相關模塊、電路、制備方法”專利，公開號CN113054010A，申請日期為2021年2月。
專利摘要顯示，本發明實施例公開了一種半導體器件及相關模塊、電路、制備方法，該器件包括：N型漂移層、P型基極層、N型發射極層、柵極、場截止層和P型集電極層等，其中，場截止層包括依次層疊于N型漂移層的表面的第一摻雜區和第二摻雜區，第一摻雜區的雜質的粒子半徑小于第二摻雜區的雜質的粒子半徑，第一摻雜區和第二摻雜區的摻雜濃度均高于N型漂移層的摻雜濃度。上述半導體器件，可以有效降低IGBT的集電極與發射極之間的漏電流。
據悉，IGBT技術多用于功率半導體，對于華為而言，在其汽車研發和光伏逆變器等產品上要用IGBT技術。有業內人士認為，在功率器件中，進行多次外延，在襯底的基礎上增加不同摻雜元素和不同厚度的外延層，用于改善極間漏電流。
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