據(jù)外媒報道指美國已開始關(guān)注中國剛剛崛起的存儲芯片產(chǎn)業(yè)，甚至還點名了長江存儲，意圖限制歐美設(shè)備商為這些中國存儲芯片企業(yè)供應(yīng)芯片生產(chǎn)設(shè)備；與此同時美國方面已推出了芯片補貼計劃，給美國的芯片提供數(shù)百億美元的補貼，如此蠻橫的態(tài)度無疑是希望提升美國芯片的競爭，然而筆者認為美國的做法無助于美國芯片的發(fā)展。
一、美國芯片不思進取
美國芯片的競爭力日益被削弱的主要原因在于美國芯片自身，近10多年美國芯片已有點不思進取，其中又以美國芯片龍頭Intel表現(xiàn)最為明顯。Intel執(zhí)全球芯片行業(yè)牛耳已有20多年時間，然而近幾年它在營收方面不時被三星超越，在技術(shù)方面則被AMD和臺積電趕超。
三星趕超Intel在于存儲芯片行業(yè)的興起，近幾年存儲芯片價格持續(xù)上漲，作為全球NAND flash和DRAM龍頭的三星由此取得了營收的快速增長，隨著存儲芯片行業(yè)的興起，近幾年Intel又再次轉(zhuǎn)身進入存儲芯片行業(yè)，也曾取得不小的市場份額，但是今年初Intel已決定將存儲芯片業(yè)務(wù)賣給SK海力士，由此退出存儲芯片行業(yè)。
Intel的主要業(yè)務(wù)則是PC處理器和服務(wù)器芯片，Intel和AMD都采用X86架構(gòu)，不過Intel的處理器研發(fā)卻一直被詬病擠牙膏，AMD則以Zen架構(gòu)異軍突起；臺積電也幫了AMD大忙，從10nm工藝以來，臺積電就已在工藝制程方面領(lǐng)先于Intel，而AMD的處理器正是交給臺積電代工，兩者合力下推動AMD在桌面處理器擊敗Intel，在服務(wù)器芯片市場也已取得一成多市場份額，Intel在服務(wù)器芯片市場則首次跌穿九成。
Intel可謂美國芯片不思進取的代表，Intel自身并不缺錢，在2016年之前它的凈利潤高于臺積電，營收也比臺積電多近200億美元，而AMD更是持續(xù)虧損，在錢足夠多的情況下，Intel在芯片架構(gòu)和工藝研發(fā)方面都先后被AMD和臺積電超越。
美國的其他芯片企業(yè)也與Intel類似，在利潤豐厚的情況下卻不舍得投入，導(dǎo)致如今在諸多芯片行業(yè)逐漸落后，乃至被亞洲地區(qū)的芯片企業(yè)超越，這才是美國芯片競爭力下滑的主要原因。
二、美國的做法無助美國芯片提升競爭力
為了扶持美國芯片，美國如今一方面是對中國芯片采取行動，一方面是提出了數(shù)百億美元芯片補貼計劃，這些舉措其實起到了反作用。
由于美國的做法，近幾年來中國大舉發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)，由此中國的芯片產(chǎn)能迅速從全球前五之外提升至如今的全球第三，并且中國的芯片制造產(chǎn)能還在快速上升，工藝研發(fā)也在加快推進，正在縮短與中國大陸以外的芯片企業(yè)的差距。
在芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)，由于美國芯片被限制向華為供應(yīng)5G射頻芯片，由此中國的射頻芯片企業(yè)看到了機會，富滿微、卓勝微等都已研發(fā)出國產(chǎn)的5G射頻芯片，成功打破了空白，相比起射頻芯片，影響更大的存儲芯片行業(yè)發(fā)展更快。
幾年前中國才開始發(fā)展存儲芯片，當時全球已發(fā)展96層NAND flash存儲芯片，而中國研發(fā)的還是落后的32層NAND flash，但是3年時間過去，中國已研發(fā)出128層NAND flash存儲芯片，達到全球主流水平，如今192層NAND flash存儲芯片技術(shù)已研發(fā)成功并正推進量產(chǎn)，可望達到世界領(lǐng)先水平。
在中國存儲芯片企業(yè)的努力下，它們當前正在推進二期工程，二期工程可望推動中國的NAND flash和DRAM的產(chǎn)能再增加兩倍，如此中國可望成為繼韓國、美國、日本之后的第四大存儲芯片生產(chǎn)國。
如此情況下，美國芯片企業(yè)卻依然沉浸在以往的厚利中躺著賺錢而不愿意持續(xù)創(chuàng)新保持領(lǐng)先技術(shù)優(yōu)勢，美國提出的芯片補貼計劃只不過是讓這些美國芯片企業(yè)額外得到更多利潤，有了更豐厚的利潤，它們沒有感受到生存危機自然更不會努力創(chuàng)新。
由此形成了鮮明對比，在美國的做法下，中國制造認識到了芯片的重要性而竭力推進芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，具有強大的發(fā)展動力；美國芯片企業(yè)本就過得太舒服，美國的補貼讓他們可以更舒服地躺著過日子，自然更不思進取，所以美國的做法可謂進一步將美國芯片培養(yǎng)成阿斗，而激發(fā)中國芯片奮斗，這應(yīng)該是它所沒有預(yù)料到的。
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