財聯社10月5日訊(編輯 趙昊)當地時間周二(10月4日),美國最大內存芯片制造商美光科技在官網宣布,公司計劃在紐約州中部打造一個巨型晶圓廠,以促進在美存儲芯片的生產。
聲明稱,在未來20年,美光計劃向工廠總共投資高達1000億美元,這將成為紐約州歷史上最大的私人投資,能為當地創(chuàng)造約50,000個就業(yè)機會。在項目周期內,紐約州還將為工廠提供55億美元的資金激勵,支持工廠招聘和資本投資。
美光將向一期項目投資200億美元,在克萊鎮(zhèn)新建一個巨型內存工廠,2023年開始場地準備工作,2024年開始施工,2025年實現量產,并在2026年-2030年間根據行業(yè)需求逐步增產。
聲明指出,這座工廠最終可能包含四個600,000平方英尺的潔凈室——半導體工業(yè)生產廠房,總計面積能達到240萬平方英尺,規(guī)模接近40個橄欖球場的大小,創(chuàng)美國半導體行業(yè)歷史之最。
美光透露,紐約工廠將采用最先進的半導體制造工藝和工具,包括極紫外線(EUV) 光刻技術,以鞏固公司在DRAM行業(yè)中的領先地位。
在2031年-2040年期間,美光將致力于推動DRAM在美產量的增長,目標是占全球產量的40%以上。
在聲明中,美光還提到了美國政府不久前簽署的《芯片與科學法案》(Chips and Science Act)。公司首席執(zhí)行官桑杰·梅羅特拉表示,“毫無疑問,如果沒有這項法案,我們就不會有今天。”
目前這項法案已經促成了包含格芯、SK海力士、環(huán)球晶圓等多家芯片公司在美設廠的計劃。
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