3nm 時代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術研討會期間發布了面向臺積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產品的新成員。在后摩爾時代的趨勢下，FinFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進一步縮小，進一步采用系統級封裝設計（SiP）。通過結合工藝技術的優勢與 Cadence 業界領先的數字信號處理（DSP）SerDes 架構，全新的 112G-ELR SerDes IP 可以支持 45dB 插入損耗，擁有卓越的功耗、性能、面積（PPA）指標，是超大規模 ASICs，人工智能/機器學習（AI/ML）加速器，交換矩陣片上系統（SoCs）和 5G 基礎設施應用的理想選擇。

　　Cadence 112G-ELR SerDes 在 TSMC 3nm 工藝環境下的眼圖（106.25 Gbps PAM4）

　　ELR SerDes PHY 符合 IEEE 和 OIF 長距離（LR）標準，在基礎規格之外提供了額外的性能裕度。上方圖片展示了三個張大的眼圖，它們在 PAM4 模式下具有良好的對稱性，將四個信號電平分開。3nm 演示展示了 E-10 級的卓越誤碼率（BER）性能以及 39dB bump 間通道，與 28dB Ball 間插損誤碼率小于 1E-4 的標準規格相比提供了充足的性能余量。

　　TSMC 3nm 工藝環境下的 Cadence 112G-ELR SerDes 測試板

　　112G-ELR SerDes IP 同時支持中距離（MR）和超短距離（VSR）應用，實現不同信道更靈活的功耗節省。NRZ 和 PAM4 信號下的數據傳輸速率從 1G 到 112G，實現背板，直連線纜（DAC），芯片間以及芯片到模塊的可靠高速數據傳輸。

　　SerDes IP 采用領先的基于 DSP 的架構，通過最大可能性序列檢測（MLSD）和反射抵消技術實現損耗及反射信道的系統穩定。MLSD 技術可以優化 BER，提供更強大的突發性錯誤處理能力。通過專有的實現技術，Cadence 能確保 MLSD 的功耗開銷最小。反射消除技術消除了具有實際走線和連接器的產品環境中的雜散、遠距離反射，從而提供穩健的 BER 結果。

　　3nm 工藝下的 Cadence 112G-ELR SerDes 解決方案進一步強化了我們在高性能互聯 IP 領域的領導力，是大規模數據中心的理想選擇，客戶也可以從 TSMC 的 3nm 工藝中獲得更顯著的功耗和性能優化，是目前在 PPA 和晶體管領域最先進的技術。

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