中國(guó)上海，2023年5月25日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用S-VSON4T封裝的光繼電器——“TLP3476S”，其導(dǎo)通時(shí)間與東芝當(dāng)前產(chǎn)品TLP3475S相比縮短了一半。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

　　與東芝當(dāng)前的產(chǎn)品TLP3475S相比，TLP3476S運(yùn)行速度更快、結(jié)構(gòu)更緊湊。該產(chǎn)品通過提高紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測(cè)器件（光電二極管陣列）的設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)高效的光耦合，也提高了運(yùn)行速度，將導(dǎo)通時(shí)間最大值縮短至0.25ms，時(shí)間為TLP3475S的一半。此外，由于采用了尺寸更小、外形更纖薄的S-VSON4T封裝（最大厚度為1.4mm），TLP3476S的厚度比當(dāng)前產(chǎn)品減小了20%。這有助于減少需要多個(gè)電路板的設(shè)備的尺寸。

　　TLP3476S適用于繼電器數(shù)量多，并需要更短開關(guān)時(shí)間的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備電路。

　　▲應(yīng)用

　　-半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備（高速存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備、高速邏輯測(cè)試設(shè)備等）

　　-探測(cè)卡

　　-測(cè)量設(shè)備

　　▲特性

　　-小型S-VSON4T封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝1.4mm（最大值）

　　-高速導(dǎo)通時(shí)間：tON＝0.25ms（最大值）

　　▲主要規(guī)格

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