據(jù)韓媒 Businesskorea 報道，SK 海力士、三星電子有望于年內(nèi)先后啟動 1c 納米 DRAM 內(nèi)存的量產(chǎn)。
進(jìn)入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式稱呼內(nèi)存世代，1c nm 即對應(yīng)美光的 1-gamma nm 表述，為第六個 10+ nm 制程世代。三星方面稱呼上一世代 1b nm 為“12nm 級”。
三星近期在行業(yè)會議 Memcon 2024 上表示，其計劃在今年年底前實現(xiàn) 1c nm 制程的量產(chǎn)；
而近日據(jù)行業(yè)消息人士透露，SK 海力士內(nèi)部已制定在三季度量產(chǎn) 1c nm DRAM 內(nèi)存的路線圖。
SK 海力士計劃提前做好準(zhǔn)備，在 1c nm 內(nèi)存通過行業(yè)驗證后立即向微軟、亞馬遜等主要客戶供貨。
對于三星電子和 SK 海力士，其下代內(nèi)存產(chǎn)品有望提升 EUV 光刻使用量，在減小線寬、提升速率同時帶來更好能效；
參考此前報道，美光將在 1-gamma 納米節(jié)點首次引入 EUV 技術(shù)，預(yù)計 2025 年量產(chǎn)，目前已進(jìn)行了試產(chǎn)。
臺企南亞則正在研發(fā)其首代 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品，有望今年推出。
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