4 月 24 日消息，據韓媒 ETNews 報道，三星電子正探索將混合鍵合技術用于邏輯芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動端處理器。
注：混合鍵合技術是一種無凸塊（焊球）的直接銅對銅鍵合技術。相較采用凸塊的傳統鍵合技術，混合鍵合可降低上下層芯片間距，提升芯片之間的電信號傳輸性能，增加 IO 通道數量。
混合鍵合已在 3D NAND 閃存中使用，未來即將用于 HBM4 內存。新項目將是三星首次嘗試在邏輯芯片中應用這一鍵合技術。
報道指，三星目前將 2026 年下半年設定為 3D 移動處理器的量產時間，目標到時將每個 IO 端子之間的間距降低至 2 微米，進一步提升 IO 數量。
為實現這一目標，三星電子的代工和先進封裝部門已在進行合作。
目前尚不清楚混合鍵合 3D 移動處理器將在三星自身產品還是代工項目上首發。未來這一技術有望擴展到 HPC 芯片等其他邏輯半導體領域。
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