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NAND Flash開始邁向300層

2024-05-29
來源:芯智訊

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5月28日消息,根據市場研究機構的數據顯示,今年一季度全球NAND Flash營收同比大幅增長30%,而這主要得益于NAND 的平均銷售價格同比上漲了27%。隨著各家NAND原廠的業績恢復盈利,使得他們也開始加大了在NAND技術上的資本支出。

在NAND技術進展方面,在2022年下半年美光長江存儲宣布量產232層NAND之后,SK海力士三星也分別量產了238層和236層的NAND。相比之下鎧俠和西部數據的進展則慢一些,但也達到了218層NAND的量產。目前各家廠商都在積極的邁向300層NAND。

三星一直處于 3D NAND 領域創新的前沿。他們已將 V7 過渡到雙層結構,并引入了 COP 集成以提高性能。隨著 V8 236L 1 Tb TLC 產品的發布,三星展示了其突破技術界限的承諾。展望未來,三星已經計劃在 V9 中采用與其他領先競爭對手類似的 280L COP V-NAND 和混合鍵合技術。

鎧俠和西部數據在保留 BiCS 結構的同時,專注于提高層數。鎧俠宣布推出具有 218 層的第八代 BiCS,并計劃推出具有 284 層的后續版本,這表明該公司致力于推進 NAND 技術。

美光轉向 CTF CuA 集成,憑借 176L 和 232L 產品的發布引領市場。他們還在開發 Gen7,可能會跳過 300 層節點,瞄準 400 層設備,展現出他們對未來創新的雄心。

SK海力士繼續采用4D PUC結構,計劃量產238L V8 4D PUC產品。隨著321層V9樣品的發布,SK海力士正在為進一步的發展做好準備,可能在不久的將來達到370層或380層的設備。

長江存儲的Xtacking結構取得了重大進展,從176層直接跳到了232層。盡管面臨芯片禁令的挑戰,長江存儲仍然專注于開發更先進的QLC器件和多Xtacking技術。

MXIC 憑借其第一代 3D NAND 芯片進入市場,以滿足 Nintendo Switch 等產品的需求。MXIC 計劃推出采用 96L 的第二代芯片,準備在該行業取得更大進步。


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