6月12日晚間，氮化鎵龍頭大廠英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請，如果一切順利的話，英諾賽科將可借助資本市場的力量，進一步加速自身的發展。

全球氮化鎵功率半導體龍頭，累計出貨量超過5億顆

根據招股書顯示，英諾賽科成立于2015年12月，其是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業，公司采用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，主要產品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件。截至2023年12月31日，公司在全球有約700項專利及專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

英諾賽科表示，其是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，在8英寸硅基氮化鎵核心技術和關鍵工藝領域實現了重大突破。相較于6英寸硅基氮化鎵晶圓，英諾賽科的8英寸量產技術使晶圓晶粒產出數增加80%，單一器件成本降低30%。同時，英諾賽科還是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。

具體來看，在2023年，英諾賽科氮化鎵晶圓總產能為9.27萬片，產量為6.66萬片左右，產能利用率為71.8%。其中，蘇州工廠2023年產能為4.8萬片/年，產量為4.13萬片左右，產能利用率為86%；珠海工廠2023年產能為4.47萬片，產量為2.5萬片左右，產能利用率為56.5%。

截至2023年12月31日，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體產能，月產能高達10000片晶圓，晶圓良率超過95%。

目前英諾賽科設計、開發及制造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，已經廣泛用于各種低中高壓應用場景，產品研發范圍覆蓋15V至1200V。

從應用端來看，英諾賽科的氮化鎵產品已在激光雷達、數據中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED燈照明驅動等方面發布產品方案，并與國內多家應用頭部企業開展深度合作，實現量產。

根據弗若斯特沙利文的資料顯示，按收入統計，英諾賽科于2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。該公司2023年收入為5.93億元，占氮化鎵功率半導體行業市場份額的33.7%。截至2023年12月31日，以折算氮化鎵分立器件計，公司累計出貨量超過5億顆。

招股書還顯示，英諾賽科在IPO之前總融資額突破60億元。在英諾賽科2024年4月的E輪融資中，武漢高科與東方富興斥資6.5億元入股，認購了2.77%的股份，對于英諾賽科的估值已經達到了235億元。

近三年累計虧損67億元

招股書顯示，2021年、2022年及2023年，英諾賽科實現收入分別是6821.5萬元、1.36億元、5.93億元，呈現持續倍增態勢；同期分別虧損34億元、22.05億元、11.02億元，累計虧損額約67億元；經調整凈虧損分別為10.81億元、12.77億元和10.16億元，合計虧損33.74億元。經營活動所用現金凈額分別是5.62億元、9.36億元、5.94億元；年末現金及現金等價物分別為12.79億元、7.11億元、3.29億元。

從收入的區域來源看，2023年英諾賽科境外銷售收入5800萬元，占同期總收入的9.8%，境內銷售收入占比高達90.2%。累計向約100名境內外客戶提供了氮化鎵產品。

從前五大客戶貢獻的營收占比看，2021年、2022年及2023年，來自公司最大客戶的收入分別為0.22億元、0.14億元、1.9億元，占其同期總收入的32.7%、10.2%及32.1%；來自公司五大客戶的總收入分別占其同期總收入的63.5%、39.7%及56.3%。顯示對于前五大客戶的依賴程度并不算高。

對于近三年持續虧損的原因，英諾賽科稱，主要是由于生產設備大幅折舊、大額研發開支、銷售及營銷開支的不斷增加導致。

招股書也顯示，2021年至2023年，英諾賽科的銷售成本快速增長態勢，分別達到了2.5億元、5.3億元、9.55億元；英諾賽科的銷售及營銷開支也在快速增長，分別達到了2840萬元、6930萬元和9010萬元；相比之下，研發開支持續降低，分別為6.62億元、5.81億元、3.49億元。

對于研發開支有所減少的問題，英諾賽科解釋稱，主要是公司自2022年第二季度起，從研發階段進展至大規模生產階段。招股書顯示，在初步研發階段，公司已分配大量資源來開發專有技術，包括8英吋硅基氮化鎵晶圓生產及設計技術，經驗證后，該等技術有望產生長期成果。隨著不斷完善技術及流程以及擴大產能，研發投資開始轉化為日益增長的商業成功。

英諾賽科預計，不久將來通過持續收入增長、規模經濟增長及經營杠桿有所改善下提高財務表現及實現盈利。后續，計劃采取推動全球氮化鎵生態發展并提升市場滲透率、擴大氮化鎵產品組合及客戶群、加大產能擴張、持續研發并夯實技術壁壘及實施全球化戰略等戰略。

擬募資擴大氮化鎵產能

此次港股IPO募資，英諾賽科擬將募資中約50%用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產能、購買及升級生產設備及機器及招聘生產人員；約17%用于償還銀行貸款；約15%用于研發及擴大產品組合，以提高終端市場（如消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心）中氮化鎵產品的滲透率；約8%用于擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡；約10%用于營運資金及其他一般公司用途。

英諾賽科認為，隨著公司業務及收入增長，其預期將受惠于規模經濟增長，繼而令毛利及毛利率顯著改善，“預計我們的毛利率將在不久的將來顯著改善并實現正毛利”。

英諾賽科指出，隨著產品出貨量增加及規模經濟增長，折舊（作為固定成本是銷售成本的重大部分）按每件產品的出貨成本計預計將大幅攤?。还疽囝A計其運營成本（主要包括封裝及測試、材料及能源）占收入的比例將繼續得到優化。

英諾賽科還計劃提高經營杠桿，將有效管理開支占總收入的百分比，并預期通過規模經濟效益及增強經營杠桿來提高利潤率。“隨著我們擴大業務規模、規模經濟增長、提高經營杠桿及更有效管理營運資金，我們預期經營現金流入凈額將進一步改善，將在不久將來實現經營現金流入。”

駱薇薇控制了約34.47%的股權

招股書顯示，目前，英諾賽科的創始人、董事長及執行董事駱薇薇，其直接持股比例為5.9%，間接持股比例為23.1%。駱薇薇、InnoHolding、英諾芯、InnoHK、英諾優朋和芯生大鵬共同組成控股股東集團。

駱薇薇通過作為InnoHolding的控制人，其持有公司約10.31%的權益；其為英諾芯的最終普通合伙人，持有公司約3.95%的權益；通過作為InnoHK控制人，其持有公司約3.37%的權益；通過作為英諾優朋的最終普通合伙人，其持有公司約4.19%的權益；及通過作為芯生大鵬的普通合伙人，其持有公司1.28%的權益。

此外，根據駱薇薇及執行董事JayHyungSon于2021年10月15日約定的投票權安排，JayHyungSon同意（其中包括）就彼直接及間接擁有或將擁有的公司及InnoHolding股份權益所附帶投票權利的一切過往及未來行動，一直并將繼續根據駱薇薇的指示行事。在公司及InnoHolding股東大會上提呈任何建議或行使任何投票權前，JayHyungSon一直并將有責任征詢駱薇薇的意見，并根據駱薇薇所表達的意見通過投票權安排所概述的特定溝通渠道行使其股東權利。因此，截至本文件日期，駱薇薇亦被視作擁有JayHyungSon持有的公司已發行股本總額中5.47%權益。

也就是說，駱薇薇通過直接、間接持股，以及約定的投票權安排，控制了英諾賽科約34.47%的股權權益。

被英飛凌等起訴專利侵權

英諾賽科在招股書中提到，通過長期致力于研發，英諾賽科在8英吋硅基氮化鎵工藝技術方面占據市場領先地位。截至2023年底，公司擁有397名研發人員。公司在全球有約700項專利和專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

不過，招股書顯示，英諾賽科正面臨兩名競爭對手針對其若干產品潛在知識產權侵權提出的三項訴訟。目前，這三項訴訟事項仍處于相對較早階段，若判決不利，公司可能會被禁止上產或銷售侵權產品、或責令支付金錢賠償。

據相關媒體報道顯示，2023年氮化鎵(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地區法院以及美國國際貿易委員會提起訴訟，稱英諾賽科侵犯了其四項專利，涵蓋了EPC專有的增強型氮化鎵(GaN)功率半導體器件的設計和大批量制造工藝的核心方面。

英諾賽科隨后發布聲明，稱EPC對比英諾賽科從商業規模、業務范圍到技術實力上都差距懸殊，其由個別員工工作變動而幻想出的技術抄襲清潔屬臆想行為，沒有事實依據。

今年3月，英飛凌在其官網發布消息稱，為防止自己擁有的與氮化鎵(GaN)技術相關的美國專利收到侵犯，對英諾賽科提起訴訟，且正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權利要求涵蓋了氮化鎵(GaN)功率半導體器件的核心方面，其中包括可實現英飛凌專有的氮化鎵(GaN)器件可靠性和性能的創新。