6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，SK 海力士計(jì)劃大幅增加 1b nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能，以滿足 HBM3E 內(nèi)存需求。

HBM 內(nèi)存對(duì) DRAM 裸片的消耗遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，因此 SK 海力士進(jìn)一步擴(kuò)張 1b nm 制程 DRAM 產(chǎn)能在一定程度上有助于緩解 HBM 內(nèi)存目前的緊缺。

SK 海力士目標(biāo)到今年年底將 1b nm 內(nèi)存晶圓投片量增至 9 萬(wàn)片，明年上半年進(jìn)一步增加到 14~15 萬(wàn)片。

為此 SK 海力士計(jì)劃將其位于京畿道利川市的 M16 內(nèi)存晶圓廠升級(jí)至 1b nm 工藝。

M16 目前生產(chǎn) 1y nm DRAM 內(nèi)存。如果完全轉(zhuǎn)產(chǎn)至 1b nm，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致 SK 海力士 1y nm 產(chǎn)能從現(xiàn)在的每月 12 萬(wàn)片晶圓下降至 5 萬(wàn)片。

韓媒援引半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)消息人士的話稱(chēng)，SK 海力士已提出了對(duì) M16 晶圓廠進(jìn)行設(shè)備移動(dòng)和改造的要求，并計(jì)劃僅引進(jìn)必需的沉積、光刻和蝕刻核心設(shè)備。

有相關(guān)人士表示，SK 海力士的追加投資仍受到此前存儲(chǔ)行業(yè)低谷期的影響，整體決策流程十分謹(jǐn)慎，不過(guò)目前相關(guān)訂單的增長(zhǎng)已超出了上游設(shè)備廠商最初預(yù)期。

4 月曾報(bào)道，SK 海力士計(jì)劃 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 內(nèi)存晶圓廠的建設(shè)。韓媒提到，相關(guān)設(shè)備訂單預(yù)計(jì)于 2025 年初開(kāi)始下單