當(dāng)?shù)貢r間12月13日，美國拜登政府宣布，美國商務(wù)部已經(jīng)與博世簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，將根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向博世提供高達(dá) 2.25 億美元的擬議直接補(bǔ)貼資金。這筆資金將支持博世投資 19 億美元改造其位于加州羅斯維爾的制造工廠，用于生產(chǎn)碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。并將在加州創(chuàng)造多達(dá) 1,000 個建筑工作崗位和多達(dá) 700 個制造、工程和研發(fā)工作崗位。

博世是全球領(lǐng)先的一級汽車供應(yīng)商，其產(chǎn)品組合中的專業(yè)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)是其差異化競爭優(yōu)勢之一。比如，博世還是汽車行業(yè)溝槽柵極 SiC 半導(dǎo)體的領(lǐng)先供應(yīng)商。博世將在加州羅斯維爾生產(chǎn)的 SiC 器件對于提高電動汽車駕駛和充電效率至關(guān)重要。滿負(fù)荷生產(chǎn)后，該擬議項目預(yù)計將生產(chǎn)博世 SiC 半導(dǎo)體總產(chǎn)能的大部分，并可能占美國所有 SiC 器件制造產(chǎn)能的 40% 以上。

博世北美及博世美洲區(qū)總裁保羅·托馬斯表示：“羅斯維爾的投資使博世能夠在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)碳化硅半導(dǎo)體，支持美國消費(fèi)者走上電氣化道路。在美國生產(chǎn)這項關(guān)鍵技術(shù)彰顯了我們在移動市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

博世預(yù)計將從 2026 年開始在其羅斯維爾工廠生產(chǎn)首批 200 毫米晶圓芯片。該工廠將執(zhí)行前端設(shè)備制造和后端測試、分類和切割工藝。

博世表示，將致力于為羅斯維爾工廠的員工和建筑工人提供價格合理、質(zhì)量上乘的托兒服務(wù)。博世推出了一款新的導(dǎo)航工具，幫助員工和建筑工人找到高質(zhì)量的托兒服務(wù)，包括短期、持續(xù)和備用的居家或中心托兒服務(wù)。為了完成該項目的建設(shè)，博世將根據(jù)與薩克拉門托-塞拉建筑和建筑行業(yè)工會簽訂的項目勞工協(xié)議 (PLA) 開展業(yè)務(wù)。

博世還計劃申請美國財政部的先進(jìn)制造業(yè)投資抵免 (CHIPS ITC)，該抵免額占合格資本支出的 25%。除了高達(dá) 2.25 億美元的擬議直接資金外，芯片法案計劃辦公室還將根據(jù) PMT 向博世提供約 3.5 億美元的擬議貸款——這是《芯片與科學(xué)法案》提供的 750 億美元貸款授權(quán)的一部分。