1 月 17 日消息，韓媒 MT（注：全稱 MoneyToday）當地時間今日報道稱，SK 海力士近日已成功完成內存業界最先進 1c 納米制程 DRAM 的批量產品認證，連續多個以 25 塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求。
SK 海力士有望在完成量產交接手續后于 2 月初正式啟動 1c 納米 DRAM 量產。
SK 海力士在 2024 年 8 月末宣布成功實現 1c 納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開發。而從開發成功到量產的約半年時間也符合 DRAM 內存行業的一般新制程量產時間表。
SK 海力士的兩大競爭對手三星電子和美光目前都尚未官宣第六代 10 納米級 DRAM 內存，這意味著 SK 海力士在最新節點世代上占據著明顯先發優勢。
SK 海力士曾表示，1c 工藝技術將應用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產品群。
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