2 月 24 日消息，據韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態電路會議現場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內存路線圖，分享了預設的性能參數目標：
在三星眼中，HBM4E 相較 HBM4 的兩大變化是引入 32Gb DRAM 裸片和將每引腳速率提升至 10Gbps：前者可在 16Hi 堆疊時將單堆棧容量擴展至 64GB，而后者意味著 HBM4E 的整體帶寬將達 HBM4 的 1.25 倍。
下游應用方面，HBM4E 內存有望被英偉達 2027 年推出的 Rubin Ultra AI GPU 采用。Rubin Ultra 支持 12 個 HBM4 (E) 堆棧，這意味著單加速器內存容量有望達到驚人的 768GB。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：[email protected]。