3 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產品 12 層（12Hi）HBM4 內存，并在全球率先向主要客戶出樣了 12Hi HBM4。
SK 海力士在 12Hi HBM4 上采用了 24Gb DRAM 芯片，繼續使用了 Advanced MR-MUF（IT之家注：先進批量回流-模制底部填充）鍵合工藝，單封裝容量達 36GB，帶寬達 2TB/s，運行速度較 HBM3E 提升了 60% 以上。
SK 海力士強調：
以引領 HBM 市場的技術競爭力和生產經驗為基礎，能夠比原計劃提早實現 12 層 HBM4 的樣品出貨，并已開始與客戶的驗證流程。公司將在下半年完成量產準備，由此鞏固在面向 AI 的新一代存儲器市場領導地位。
該企業 AI Infra 擔當金柱善社長則表示：
公司為了滿足客戶的要求，不斷克服技術局限，成為了 AI 生態創新的領先者。以業界最大規模的 HBM 供應經驗為基礎，今后也將順利進行性能驗證和量產準備。
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