過去，在工業(yè)存儲(chǔ)領(lǐng)域，中國(guó)的發(fā)展可謂是凄風(fēng)苦雨、一波三折。存儲(chǔ)芯片，中國(guó)曾高度依賴進(jìn)口，進(jìn)口比例曾高達(dá)90%，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額一度下滑至不足4%。同時(shí)，工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)面臨成本、性能、安全、業(yè)務(wù)等多方面挑戰(zhàn)，如存儲(chǔ)成本高、實(shí)時(shí)性要求難以滿足、數(shù)據(jù)安全存在隱患、傳統(tǒng)接口無法滿足業(yè)務(wù)需求等。
在國(guó)家政策的支持下，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)經(jīng)過多年的研發(fā)投入，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于實(shí)現(xiàn)重大突破，徹底擺脫對(duì)國(guó)外進(jìn)口芯片的依賴，再也不用被“卡脖子”。但是，有了長(zhǎng)鑫的芯片，能否有穩(wěn)定可靠的內(nèi)存條，又是一大挑戰(zhàn)。
在信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)加速國(guó)產(chǎn)替代的背景下，科美存儲(chǔ)近日正式推出首款 100%全國(guó)產(chǎn)化DDR5 RDIMM內(nèi)存條，瞄準(zhǔn)邊緣計(jì)算、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心及特種設(shè)備領(lǐng)域?qū)Ω叻€(wěn)定性內(nèi)存的迫切需求。該產(chǎn)品從芯片、封裝到適配全鏈路實(shí)現(xiàn)自主可控，并通過 防硫化設(shè)計(jì)、30μ鍍金工藝 等技術(shù)創(chuàng)新，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存模塊在極端環(huán)境適配能力的空白。
核心亮點(diǎn)與技術(shù)解析
穿透全國(guó)產(chǎn)：響應(yīng)國(guó)家“十四五”信息技術(shù)自主可控戰(zhàn)略
本產(chǎn)品使用長(zhǎng)鑫DDR5 芯片，上海瀾起的RCD芯片，BOM內(nèi)其他電子元器件也均符合國(guó)產(chǎn)化要求，確保了供應(yīng)鏈安全（科美可以提供BOM清單供審查）。全鏈路國(guó)產(chǎn)化設(shè)計(jì)規(guī)避了地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，響應(yīng)了國(guó)家“十四五”信息技術(shù)自主可控戰(zhàn)略。
2.穩(wěn)定可靠：嚴(yán)苛測(cè)試環(huán)境下無異常
科美此款DDR5 RDIMM內(nèi)存條采用 長(zhǎng)鑫（CXMT）Major等級(jí)A Die芯片，拒絕使用降級(jí)芯片，確保品質(zhì)；芯片原生頻率5600MHz，為保障工業(yè)場(chǎng)景穩(wěn)定性，科美存儲(chǔ)降頻至4800MHz運(yùn)行，進(jìn)一步保障內(nèi)存條的可靠性。在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，科美全國(guó)產(chǎn)DDR5 RDIMM內(nèi)存條產(chǎn)品經(jīng)過了十余輪調(diào)優(yōu)和幾十項(xiàng)測(cè)試，在最后的批量壓力測(cè)試中，連續(xù)336小時(shí)無異常。為邊緣計(jì)算、車載設(shè)備提供抗硫化、耐插拔的存儲(chǔ)解決方案，降低運(yùn)維成本。
3.防硫化設(shè)計(jì)：破解工業(yè)環(huán)境腐蝕難題
針對(duì)含硫氣體導(dǎo)致的元器件失效問題，科美在內(nèi)存條表面增加 納米級(jí)防硫化涂層，經(jīng)實(shí)驗(yàn)室模擬測(cè)試，可在硫化物濃度50ppm環(huán)境下連續(xù)運(yùn)行1000小時(shí)無性能衰減，故障率降低80%。
4.30μ鍍金金手指：壽命與穩(wěn)定性雙提升
金手指鍍金厚度達(dá) 30μ（行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)10-15μ），插拔壽命超5000次，接觸電阻波動(dòng)控制在5%以內(nèi)，適配高振動(dòng)、高濕度等邊緣計(jì)算場(chǎng)景。
5、全平臺(tái)兼容性：覆蓋國(guó)產(chǎn)與主流生態(tài)
產(chǎn)品已通過飛騰S5000C、龍芯3A5000等國(guó)產(chǎn)平臺(tái)認(rèn)證，并兼容AMD EPYC、Intel至強(qiáng)等X86架構(gòu)，同步適配麒麟、統(tǒng)信操作系統(tǒng)。適配黨政、金融國(guó)產(chǎn)化服務(wù)器，解決X86平臺(tái)與國(guó)產(chǎn)CPU混用場(chǎng)景的兼容難題。
當(dāng)前，國(guó)產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存市場(chǎng)仍高度依賴進(jìn)口模組，尤其在 工業(yè)自動(dòng)化、電力能源等領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品難以滿足寬溫、防硫化等定制化需求。科美DDR5 RDIMM內(nèi)存條產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)從“可用”向“專用”邁進(jìn)了一大步，為國(guó)產(chǎn)“卡脖子”硬科技突破又立新功。
圖/科美實(shí)驗(yàn)室DDR5 RDIMM測(cè)試環(huán)境
