4月28日消息，據(jù)韓國(guó)媒體 sedaily 報(bào)導(dǎo)，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱(chēng)為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍(lán)圖。外界解讀，三星有意比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士更早一個(gè)世代成功量產(chǎn)，以挽回“超級(jí)差距”的地位。

VCT DRAM是指將內(nèi)存單元中控制電流流動(dòng)的晶體管垂直排列的產(chǎn)品。與傳統(tǒng)平面方式相比，可以排列更多晶體管，實(shí)現(xiàn)更高容量，因此被視為潛力巨大的“游戲規(guī)則改變者”。然而，這種制作方式比傳統(tǒng)工藝更繁復(fù)且嚴(yán)苛，不僅前段制程（晶圓制作）難度高，還需動(dòng)用過(guò)去DRAM制程中未曾使用過(guò)的先進(jìn)封裝技術(shù)，技術(shù)門(mén)坎相當(dāng)高。

三星電子目前正量產(chǎn)10nm級(jí)的第五代DRAM，并以今年量產(chǎn)第六代產(chǎn)品為目標(biāo)。隨著明年開(kāi)發(fā)第七代產(chǎn)品的時(shí)程已確定，三星在第八代（1e）DRAM與全新制程技術(shù)VCT DRAM之間進(jìn)行權(quán)衡后，最終選擇后者這個(gè)技術(shù)路線(xiàn)。

據(jù)悉，SK海力士則規(guī)劃第七代DRAM，再來(lái)依序是1奈米級(jí)第1代（0a）、垂直DRAM（VG）的導(dǎo)入時(shí)間表。由此來(lái)看，如果三星計(jì)劃順利推進(jìn)，將領(lǐng)先一步開(kāi)啟「V DRAM時(shí)代」。另外，傳三星電子內(nèi)部已將負(fù)責(zé)第八代產(chǎn)品的前期研究團(tuán)隊(duì)與第七代團(tuán)隊(duì)合并。

業(yè)界預(yù)期，VCT DRAM有望在2~3年內(nèi)看到實(shí)體產(chǎn)品。業(yè)界人士指出，由于三星近期在單一DRAM領(lǐng)域也開(kāi)始落后，可以看出他們希望透過(guò)領(lǐng)先未來(lái)技術(shù)重拾市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的自尊心。

對(duì)于這項(xiàng)消息，三星電子則回應(yīng)稱(chēng)“尚未確定具體的DRAM產(chǎn)品藍(lán)圖”。