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CCFL推挽式緩沖電路
摘要: DS3984, DS3988, DS3881, DS3882, DS3992和DS3994為冷陰極熒光燈(CCFL)控制器,它們使用推挽結構來產生驅動熒光燈所需的高壓交流波形。在推挽式驅動器中,升壓變壓器的寄生電感與n溝道功率MOSFET的寄生輸出電容組成了一個諧振回路,能產生不期望的尖峰電壓。高壓尖峰會增加功率MOSFET承受的應力,同時也會增大系統產生的電磁干擾(EMI)。本應用筆記描述了如何用一個簡單的電阻-電容(RC)網絡來抑制該尖峰電壓。
Abstract:
Key words :

無抑制時的漏極電壓

  圖1詳細列出了使用15V直流電源工作時,推挽式驅動器的典型柵極驅動電壓和漏極電壓波形。在推挽式驅動結構中,當互補MOSFET開啟時,正常情況下漏極電壓會升至直流電源電壓的兩倍(或者本例中的30V)。然而,如圖1所示,尖峰電壓卻高達54V。在MOSFET關閉以及互補MOSFET開啟時,n通道功率MOSFET的漏極也會出現尖峰電壓。

Figure 1. Drain voltage without snubber circuit.
圖1. 無緩沖電路時的漏極電壓

 

可抑制漏極尖峰電壓的電路及設計

  可以通過為每個漏極添加簡單的RC網絡來抑制尖峰電壓,如圖2所示。合適的電阻(R)和電容(C)值可由如下過程確定。在闡述該過程之后,將有一個實例演示如何降低圖1所示的尖峰電壓。

Figure 2. Push-pull drain snubber circuit.
圖2. 推挽驅動器的漏極緩沖電路

 

確定合適的緩沖電路RC值

  1. 測量尖峰諧振頻率。見圖3所示實例。
  2. 在MOSFET的漏極和源極上并聯一個電容(無電阻,僅電容),調整電容值,直到尖峰諧振頻率降低到原來的二分之一。此時,該電容值為產生尖峰電壓的寄生電容值的三倍。
  3. 因為寄生電容值已知,寄生電感值可用如下等式求得:

    L = 1 / [(2F)2 x C],其中,F=諧振頻率,C = 寄生電容值
  4. 現在,寄生電容和電感值都已知,諧振回路的特征阻抗可由如下等式求得:

    Z = SQRT(L/C),其中,L = 寄生電感值,C = 寄生電容值
  5. RC緩沖電路中的電阻值應該接近特征阻抗,電容值應該是寄生電容值的四到十倍。使用更大的電容可以輕微降低電壓過沖,但要以更多的功率耗散和更低的逆變效率為代價。

 

計算RC緩沖器元件值

在這部分,使用前面提到的五個步驟,可以計算出組成緩沖電路、用來降低圖1中尖峰電壓的適當電阻電容值。

  1. 找出諧振尖峰電壓的頻率。圖3顯示出它大約為35MHz。

    Figure 3. Resonant voltage spike frequency without snubber circuit.
    圖3. 無緩沖電路的諧振尖峰電壓的頻率

     

  2. 在漏極和地線之間并聯一個電容,以將諧振頻率降至大約一半(17.5MHz)。如圖4所示,330pF的并聯電容即可將諧振頻率降低至大約17.5MHz。最佳電容值可以通過嘗試并聯不同容量的電容來確定。最好從小容量電容開始(比如100pF),然后逐漸增大。

    因為330pF的并聯電容即可將諧振頻率降至原來的二分之一,寄生電容值應該是其三分之一(大約110pF)。

    Figure 4. Resonant voltage spike frequency with 330pF shunt capacitor.
    圖4. 提供330pF并聯電容時的諧振尖峰電壓頻率

     

  3. 計算寄生電感值。

    寄生電感 = L = 1 / [(2 x 3.14 x 35MHz)2 * 110pF] = 0.188µH

     

  4. 計算特征阻抗。

    特征阻抗 = Z = SQRT (0.188µH / 110pF) = 41

     

  5. 選擇適當的電阻和電容值。緩沖電路中的電阻值R應該接近41,而電容值C應該在寄生電容110pF的四到十倍之間。在本例中,我們選擇電容C為1000pF,大約為寄生電容值的九倍。

    圖5顯示了加入由39電阻及1000pF電容組成的緩沖電路后的結果。

    Figure 5. Drain voltage with RC snubber circuit (39ohm, 1000pF).
    圖5. 加入RC緩沖電路(39, 1000pF)后的漏極電壓

     

 

結論

  本應用筆記說明,通過一些簡單的經驗測量,即可確定推挽式驅動結構中阻容緩沖電路的適當值。該緩沖電路可以大大降低功率MOSFET漏極不期望出現的尖峰電壓。

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