專長于無線應用領域先進功率放大器技術的無晶圓廠半導體公司Black Sand科技有限公司日前宣布：公司已推出兩條新的3G CMOS射頻功率放大器(PA)產品線，它們顯著地提升各種手機、平板電腦和數據卡的可靠性和數據傳輸量。該產品系列包括6個特別的、覆蓋多個頻段的功率放大器。
　
　　其BST34系列功率放大器被設計為現有3G GaAs射頻功率放大器的立即替代產品，而且實現了完全的功能及管腳兼容。由GaAs轉換到CMOS，可確保移動設備制造商們能夠從改善的供應鏈、更高的可靠性和更低的成本中獲益。
　
　　憑借其帶有的TrueDelivered™高性能功率檢測器，BST35系列將總輻射功率(TRP)性能實現了高達2dB的提升，還在實際工作環境中降低了掉線率，并提升了數據傳輸速率。BST3501是業界首款向射頻前端提供這一功能的芯片。該器件的性能指標達到或超過了GaAs功率放大器芯片的輸出功率、線性度、效率和噪音指標。
　
　　每個系列的首款產品在今年2月就能供貨。這次產品發布之前，Black Sand發布展示了全球首款3G CMOS 功率放大器。
　
　　Black Sand公司首席執行官John Diehl說：“我們的技術贏得了我們初始客戶和移動運營商們異常積極的響應。尤其是BST35系列產品幫助智能手機和數據卡廠家達到了他們的行業設計目標，并在實際環境中獲得了良好的TPR性能，從而確保了更少的掉線率和更快的數據傳輸速度，而且沒有額外的eBOM組件和成本。”
　
　　“鑒于GaAs功率放大器技術長期存在的供應短缺和成本構成更高的問題，移動設備制造商們正在尋求一種能替代GaAs功率放大器技術的產品。BST34 和BST35產品系列使我們的客戶能夠快速獲得滿足其超大批量生產所需要的功率放大器技術。” Black Sand公司的營銷副總裁Jim Nohrden說。
　
　　 “我們有一個比現今存在的所有GaAs功率放大器供應商聯合起來還要大的戰略供應基礎；而隨著市場繼續采用3G移動設備，這已證明將是至關重要的，因為3G移動設備上的功率放大器數量是2G手機的兩到三倍。在2011年里，我們的產品將會為我們的客戶提供更好的性能和一個更加可靠的供應源。”
　
技術規范
　　BST34 和 BST35系列采用3x3mm大小、10管腳方式封裝。BST34系列包含一個帶有菊鏈支持的內置方向性耦合器，同時還集成有過壓和過溫保護電路。BST35產品系列采用Black Sand的TrueDeliveredTM功率探測技術，并具備100：1的強大駐波比(VSWR)，是GaAs功率放大器的10倍。
　
　　BST34產品線包括：用于“2100” 頻段-1 (1920-1980 MHz)的BST3401，用于PCS 頻段-2 (1850-1910 MHz)的BST3402，以及用于AWS 頻段-4 (1710-1755 MHz)、 日本頻段-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 和拉美頻段-10 (1710-1770 MHz)的BST3404。
　
　　BST35產品線包括：用于“2100” 頻段-1 (1920-1980 MHz)的BST3501，用于PCS頻段-2 (1850-1910 MHz)的BST3502，以及用于AWS 頻段-4 (1710-1755 MHz)、 日本頻段-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 和拉美頻段-10 (1710-1770 MHz)的BST3504。這3款產品都采用3x3mm大小、10引腳封裝。
　
　　在二月中即可提供BST3401 和BST3501的芯片和評估板。2011年第二季度可供應BST3402、 BST3502,、BST3404 和BST3504樣片。