| MOS管驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)和時(shí)間功耗計(jì)算 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： MOS | |
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| 文檔介紹： MOS關(guān)模型 Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個(gè)Vds電壓的函數(shù)。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相關(guān)的。這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時(shí)在輸入和輸出，因此等效值由于Vds電壓要比原來(lái)大很多，這個(gè)稱為米勒效應(yīng)。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測(cè)試得到的，我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用的時(shí)候需要修改Cgd的值。 | |
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